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VELARDI FRANCESCO - Ricercatore

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Afferente a: Dipartimento: Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"

Settore Scientifico Disciplinare: ING-INF/01

Orari di ricevimento: Martedì 10.00-12.00 Giovedì 10.00-12.00

Recapiti:
E-Mail: velardi@unicas.it

  • Insegnamento ELETTRONICA (31440)

    Terzo anno di Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni (L-8), Curriculum unico
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 9,00

    Programma:
    Introduzione all'elettronica: I segnali. Segnali analogici e digitali. Amplificatori. Modelli circuitali per amplificatori. Risposta in frequenza degli amplificatori. Invertitori logici digitali. La simulazione circuitale con Spice.

    Amplificatori operazionali: L'amplificatore operazionale ideale. La configurazione invertente. La configurazione non invertente. Amplificatori di differenza. Effetto della banda e del guadagno ad anello aperto finiti. Funzionamento per ampi segnali degli operazionali. Non idealità in continua. Integratori e derivatori. Il modello Spice dell'operazionale ed esempi di simulazione.

    I diodi: Il diodo ideale. Caratteristiche ai terminali dei diodi a giunzione. Modelli della caratteristica diretta del diodo. Esempio di circuito raddrizzatore. Fisica del funzionamento del diodo. Modello Spice del diodo ed esempi di simulazione.
    Transistori ad effetto campo MOS (MOSFET): Struttura e funzionamento fisico del dispositivo. Caratteristiche tensione-corrente. Circuiti MOSFET in continua. Il MOSFET come amplificatore e come interruttore. Polarizzazioni in un circuito amplificatore a MOSFET. Funzionamento e modelli a piccolo segnale. Amplificatori MOS a singolo stadio. Capacità interne e modelli ad alta frequenza del MOSFET. Risposta in frequenza dell'amplificatore a source comune (CS). L'invertitore logico digitale CMOS. Il MOSFET a svuotamento. Modelli Spice del MOSFET ed esempi di simulazione.

    Transistori bipolari a giunzione (BJT): Struttura del dispositivo e funzionamento fisico.Caratteristiche tensione-corrente. Il BJT come amplificatore e come interruttore. Circuiti a BJT in continua. La polarizzazione dei circuiti amplificatori a BJT. Funzionamento e modelli per piccolo segnali. Amplificatori a BJT a singolo stadio. Le capacità interne del BJT e modelli per le alte frequenze. Risposta in frequenza dell'amplificatore ad emettitore comune. L'invertitore logico digitale. Modello Spice del BJT ed esempi di simulazione.

    Circuiti integrati analogici a singolo stadio: Strategie di progetto di circuiti integrati. Il MOSFET ed il BJT a confronto. La polarizzazione nei circuiti integrati.

    Risposta in alta e bassa frequenza dei circuiti studiati con il metodo delle costanti di tempo.

    Amplificatori multistadio: La coppia differenziale MOS. Funzionamento a piccolo segnale della coppia differenziale MOS. La coppia differenziale a BJT. Altre caratteristiche non ideali dell'amplificatore differenziale. L'amplificatore differenziale con carico attivo. Risposta infrequenza dell'amplificatore differenziale.

    Circuiti logici digitali: Progetto di circuiti digitali. Progetto ed analisi delle prestazioni dell'invertitore CMOS. Circuiti per porte logiche CMOS. Circuiti logici pseudo-NMOS. Circuiti combinatori. Logiche programmabili. Esempi di simulazioni Spice

    Testi:
    Circuiti per la microelettronica
    Sedra/Smith
    EdiSes

    Elettronica Digitale
    Paolo Spirito
    Mcgraw-Hill

    Valutazione:
    L'obiettivo della prova scritta, della durata di due ore, è di valutare la capacità dello studente nel progettare correttamente un semplice circuito amplificatore. La prova si ritiene superata se il comportamento in frequenza dell'amplificatore progettato soddisfa alle specifiche assegnate. Il superamento della prova scritta è perentorio per poter sostenere la prova orale.

    La prova orale consente di valutare il livello di conoscenza, acquisita dallo studente, dei circuiti analogici presentati durante il corso e dei parametri e delle problematiche delle famoglie logiche NMOS e CMOS. La prova orale, di una durata indicativa di 45 minuti, prevede tre domande che vertono, rispettivamente, su un'applicazione degli amplificatori operazionali, sul comportamento di un amplificatore a singolo transistore e su un argomento di elettronica digitale. La prova orale viene svolta entro una settimana dalla prova scritta.

    La valutazione finale si ottiene mediando la valutazione della prova scritta e quella della prova orale.

  • Insegnamento ELETTRONICA (90780)

    Terzo anno di Ingegneria industriale CASSINO (L-9), Elettrica
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 6,00

    Programma:
    I segnali. Spettro di frequenza dei segnali. Segnali analogici e digitali. Amplificatori. Modelli circuitali degli amplificatori. Risposta in frequenza degli amplificatori. Reti a singola costante di tempo.
    Amplificatori operazionali. L'amplificatore operazionale ideale. La configurazione invertente. Applicazioni della configurazione invertente. La configurazione non invertente. Caratteristiche della configurazione non invertente. Effetto del guadagno e della banda ad anello aperto finiti sulle prestazioni dei circuiti. Amplificatori di differenza. Funzionamento degli operazionali per ampi segnali. Non idealità in continua.
    Multivibratori bistabili. L'anello di retroazione. Le caratteristiche di trasferimento di un circuito bistabile. Trigger di un circuito bistabile. Il circuito bistabile come elemento di memoria. Un circuito bistabile come elemento di memoria. Utilizzo del circuito bistabile come comparatore. Uso di multivibratori astabili per la generazione di forme d'onda quadre e triangolari.
    Caratteristiche e meccanismi di conduzione nei semiconduttori. La giunzione p-n. Giunzione inversamente polarizzata. Il comportamento capacitivo di una giunzione inversamente polarizzata. Principio di funzionamento di una giunzione direttamente polarizzata. Capacità di diffusione. Funzionamento nella regione inversa di breakdown. Caratteristiche di un diodo reale e loro dipendenza dalla temperatura. Modelli della caratteristica diretta del diodo. Tecniche di soluzione di un circuito con un diodo reale: analisi grafica e tecnica iterativa. Modello equivalente ad ampi segnali di un diodo reale. I diodi Zener. L'utilizzo dello Zener come regolatore in parallelo. Circuiti raddrizzatori: a singola semionda, a doppia semionda con trasformatore a presa centrale e a ponte di Gratz. Dimensionamento del condensatore di filtro di un raddrizzatore.
    Il transistore bipolare a giunzione: fisica e modi di funzionamento. Simboli circuitali e convenzioni. Rappresentazione grafica delle caratteristiche del transistore. Analisi in continua dei circuiti a transistore. Il transistore come amplificatore. Polarizzazione del transistore per il progetto di circuiti a componenti discreti. Configurazione ad emettitore comune. Resistenza di ingresso, resistenza di uscita, guadagno alle medie frequenze. Configurazione ad emettitore comune con
    resistenza di emettitore. Configurazione a base comune. Configurazione a collettore comune. Risposta in frequenza. Metodo delle costanti di tempo dominanti.

    Testi:
    Circuiti per la Microelettronica
    Sedra - Smith
    EdiSES

Prenotazione appello

E' possibile prenotarsi ad un appello d'esame, collegandosi al portale studenti.

Elenco appelli d'esame disponibili

    Al momento non ci sono appelli disponibili.

CURRICULUM VITAE DEL DOTT. ING. FRANCESCO VELARDI



Nome - Francesco Velardi

Indirizzo - DIEI
Università degli studi di Cassino e del Lazio Meridionale
Via Di Biasio, 43
03043 CASSINO (FR)

Telefono - +39 0776 299 6342
- +39 329 832 5604
Fax - +39 0776 299 4325
E-mail - velardi@unicas.it


Data di nascita - 24/07/1967
Città di nascita - Napoli
Nazionalità - Italiana



Titoli di studio:

Titolo - Laurea in Ingegneria Elettronica
Argomento - Identificazione di sistemi dinamici non lineari
Votazione - 110/110 e Lode
Data - Dicembre 1999
Università - Università di Napoli Federico II Napoli
Tutor- Prof. A. Luciano

Titolo - Dottorato di ricerca in Ingegneria Elettrica e dell Informazione
Argomento - Studio degli effetti da singolo evento innescati da ioni pesanti in MOSFET di potenza
Data - Marzo 2004
Università - Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale Cassino (Fr)
Tutor - Prof. G. Busatto

Carriera:
dal 2000 al 2001: Contratto di collaborazione scientifica con il Dipartimento di Ingegneria dell Informazione Seconda Università di Napoli nell ambito del progetto Magnetostrective Equipment and Systems for more electric Aircraft ;
nel 2000: Vincitore di borsa di Dottorato di Ricerca in Ingegneria Elettrica e dell Informazione presso la Facoltà di Ingegneria dell Università degli Studi di Cassino, Tutor Prof. G. Busatto;
nel 2004: Vincitore di concorso a ricercatore universitario presso la Facoltà di Ingegneria dell Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;
dal 2006: Professore aggregato presso l Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.

Attività Professionale:

Dall'anno accademico 2004/2005 all'anno accademico 2005/2006, supplenza annuale dell insegnamento di Laboratorio di Elettronica , del Corso di Laurea in Ingegneria Elettrica, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;
Dall'anno accademico 2005/2006 all'anno accademico 2008/2009, supplenza annuale dell insegnamento di Elettronica , del Corso di Laurea in Ingegneria della Produzione Industriale, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.
Dall'anno accademico 2005/2006 all'anno accademico 2009/2010, supplenza annuale dell insegnamento di Optoelettronica , del Corso di Laurea in Ingegneria delle Telecomunicazioni, Università degli studi di Cassino e del Lazio Meridionale.
Dall'anno accademico 2009/2010 all'anno accademico 2014/2015, affidamento, in qualità di professore aggregato, dell insegnamento di Elettronica , del Corso di Laurea in Ingegneria Elettrica, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.
A.A. 2015/2016, affidamento, in qualità di professore aggregato, dell insegnamento di Elettronica , del Corso di Laurea in Ingegneria Informatica e dellle Telecomunicazioni, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.
Relatore e co-relatore di varie tesi di Laurea su argomenti affini ai temi di ricerca di interesse.
L ing. Velardi collabora come reviewer alla rivista IEEE Transactions on Nuclear Sciences e alla rivista Elsiever Microelectronics Reliability.


Attività Scientifica:
Autore di 28 pubblicazioni su riviste internazionali e 15 su atti di convegni internazionali.


Principali campi di interesse:
Modellistica non lineare di complessi sistemi dinamici;
Simulazione, modellistica e caratterizzazione dei dispositivi di potenza a semiconduttore;
Effetti dell impatto di particelle pesanti su dispositivi elettronici di potenza e conseguenti fenomeni di rottura.
Industrializzazione di celle solari ad elevata efficienza.

International journal:
1. Abbate C., Busatto G., Cova P., Delmonte N., Giuliani F., Iannuzzo F., Sanseverino A., Velardi F. (2015). Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, vol. 62, p. 202-209, ISSN: 0018-9499, doi: 10.1109/TNS.2014.2387014
2. Abbate C., Busatto G., Cova P., Delmonte N., Giuliani F., Iannuzzo F., Sanseverino A., Velardi F. (2015). Analysis of Heavy Ion Irradiation Induced Thermal Damage in SiC Schottky Diodes. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, vol. 62, p. 202-209, ISSN: 0018-9499, doi: 10.1109/TNS.2014.2387014
3. Abbate C., Busatto G., Iannuzzo F., Mattiazzo S., Sanseverino A., Silvestrin L., Tedesco D., Velardi F. (2015). Experimental study of Single Event Effects induced by heavy ion irradiation in enhancement mode GaN power HEMT. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 55, p. 1496-1500, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2015.06.139
4. C. Abbate, M. Alderighi, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P.Cova, N .Belmonte, V. De Luca, S. Fiore, S. Gerardin, E. Ghisolfi, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, G. Meneghesso, A. Paccagnella, F. Rampazzo, M. Riva, A. Sanseverino, R. Silvestri, G. Spiazzi, F. Velardi, E. Zanoni (2014). Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades. JOURNAL OF INSTRUMENTATION, vol. Vol.9 2014, p. 1-10, ISSN: 1748-0221, doi: 10.1088/1748-0221/9/02/C02017
5. C. Abbate, G. Busatto, P. Cova, N. Delmonte, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi (2014). Thermal damage in SiC Schottky diodes induced by SE heavy ions. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol.
6. C. Abbate, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Sanseverino, F. Velardi, C. Ronsisvalle, J. Victory (2014). Turn-off instabilities in large area IGBTs. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 2014, p. 1927-1934, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2014.07.128
7. C. Abbate, G.Busatto, F. Iannuzzo, C.Ronsisvalle, A. Sanseverino, F. Velardi (2013). Scattering parameter approach applied to the stability analysis of power IGBTs in Short Circuit. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. Vol. 53 2013, p. 1707-1712, ISSN: 0026-2714
8. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi (2013). Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ion Irradiations Performed after Gamma Ray Degradation. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, vol. Vol.60, p. 3793-3801, ISSN: 0018-9499, doi: 10.1109/TNS.2013.2278038
9. L. Silvestrin, D. Bisello, G. Busatto, P. Giubilato, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, D. Pantano, A. Sanseverino, M. Tessaro, F. Velardi, J. Wyss (2012). A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION B, BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, vol. 273, p. 234-236, ISSN: 0168-583X, doi: 10.1016/j.nimb.2011.07.083
10. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi (2012). Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 52, p. 2363-2367, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2012.06.153
11. M. Alderighi, M. Citterio, M. Riva, S. Latorre, Costabeber, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, P. Tenti, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, M. Bernardoni, R. Menozzi, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca, F. Velardi (2012). Power converters for future LHC experiments. JOURNAL OF INSTRUMENTATION, vol. 7, p. 1-15, ISSN: 1748-0221, doi: 10.1088/1748-0221/7/03/C03012
12. G. Busatto, D. Bisello, G. Currò, P. Giubilato, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, D. Pantano, A. Sanseverino, L. Silvestrin, M. Tessaro, F. Velardi, J. Wyss (2011). A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. Volume 51, p. 1995-1998, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2011.07.023
13. P. Tenti, G. Spiazzi, S. Buso, M. Riva, P. Maranesi, F. Belloni, P. Cova, R. Menozzi, N. Delmonte, M. Bernardoni, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, F. Velardi, A. Lanza, M. Citterio, C. Meroni (2011). Power supply distribution system for calorimeters at the LHC beyond the nominal luminosity. JOURNAL OF INSTRUMENTATION, vol. 2011, p. 1-16, ISSN: 1748-0221, doi: 10.1088/1748-0221/6/06/P06005
14. G. Busatto, G. Curro’, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi (2010). Experimental study and numerical investigation on the formation of single event gate damages induced on medium voltage power MOSFET. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. Volume 50, p. 1842-1847, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2010.07.039
15. G. BUSATTO, G. CURRÒ, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI (2009). Experimental Study about Gate Oxide Damages in Patterned MOS Capacitor Irradiated with Heavy Ions. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 49, p. 1033-1037, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2009.07.012
16. G. BUSATTO, G. CURRÒ, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI (2009). Heavy-Ion Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFETs. IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, vol. 56, p. 3573-3581, ISSN: 0018-9499, doi: 10.1109/TNS.2009.2032397
17. BUSATTO G, CURRÒ G, F. IANNUZZO, PORZIO A, SANSEVERINO A, VELARDI F (2008). Experimental Evidence of “Latent Gate Oxide Damages” in Medium Voltage Power MOSFET as a Result of Heavy Ions Exposure. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 48, p. 1306-1309, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2008.07.030
18. G. BUSATTO, IANNUZZO F, PORZIO A, SANSEVERINO A, VELARDI F, CURRO' G (2006). Experimental study of power MOSFET’s gate damage in radiation environment. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 46, p. 1854-1857, ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2006.07.069
19. G. BUSATTO, A. PORZIO, F. VELARDI, F. IANNUZZO, A. SANSEVERINO, G. CURRO' (2005). Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 45, p. 1711-1716, ISSN: 0026-2714
20. VELARDI F, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, G. CURRO', A. CASCIO, F. FRISINA (2004). The Role of the Parasitic BJT Parameters on the Reliability of New Generation Power MOSFET during Heavy Ion Exposure. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 44/9-11, p. 1407-1411, ISSN: 0026-2714
21. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. CANDELORI (2003). Experimental study of charge generation mechanisms in power MOSFETs due to energetic particle impact. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 43/4, p. 549-555, ISSN: 0026-2714
22. G. BUSATTO, R. LA CAPRUCCIA, F. IANNUZZO, F. VELARDI, R. RONCELLA (2003). MAGFET Based Current Sensing for Power Integrated Circuit. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 43/4, p. 577-583, ISSN: 0026-2714
23. G. BUSATTO, F. IANNUZZO, F. VELARDI, M.VALENTINO, G.P.PEPE (2003). Non-Destructive Detection of Current Distribution in Power Modules based on Pulsed Magnetic Measurement. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 43/7-10, p. 1907-1912, ISSN: 0026-2714
24. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. SANSEVERINO, A. CANDELORI, G. CURRO', A. CASCIO, F. FRISINA (2003). Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 43/7-10, p. 1847-1851, ISSN: 0026-2714
25. G. BUSATTO, B. CASCONE, L. FRATELLI, M. BALSAMO, F. IANNUZZO, F. VELARDI (2002). Non_Destructive High Temperature Characterisation of High-Voltage IGBTs. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 42, p. 1635-1640, ISSN: 0026-2714
26. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. KAMINKSY (2002). The Reliability of New Generation Power MOSFETs in Radiation Environment. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 42, p. 1629-1634, ISSN: 0026-2714
27. C. NATALE, VELARDI F, C. VISONE (2001). Identification and Compensation of Hysteresis for Magnetostrictive Actuators. PHYSICA. B, CONDENSED MATTER, vol. 306, p. 161-165, ISSN: 0921-4526
28. BUSATTO G, F.IANNUZZO, F. VELARDI, J.WYSS (2001). Non-destructive tester for single event burnout of power diodes. MICROELECTRONICS RELIABILITY, vol. 41, p. 1725-1729, ISSN: 0026-2714

International conferences:
1. C. Ronsisvalle, H. Fischer, K.S.Park, C.Abbate, A. Sanseverino, F. Velardi, G.Busatto (2013). High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circuit. In: Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC). p. 183-188, Long Beach, CA:IEEE, ISBN: 978-1-4673-4353-4, doi: 10.1109/APEC.2013.6520205
2. G. BUSATTO, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI, G.CURRÒ (2009). Induced Damages in Power MOSFETs after Heavy Ions Irradiation. In: Proceedings of the 11th Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics, Detectors and Medical Physics Applications, ICATPP'09.
3. C. ABBATE, G. BUSATTO, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI, S. BACCARO (2009). Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters. In: Proceedings of the 11th Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics, Detectors and Medical Physics Applications, ICATPP’09, Villa Olmo, Como 5-9 October 2009..
4. G. BUSATTO, G. CURRÒ, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI (2009). The role of the charge generated during heavy ion irradiation in the gate damage of medium power MOSFET. In: Proc. Radiation and its Effects on Components and Systems 2009.
5. A.PORZIO, F. VELARDI, G. BUSATTO, F. IANNUZZO, A. SANSEVERINO, G. CURRÒ (2008). A 3-D Simulation Study about SEGR in Medium Voltage Power MOSFET. In: Proc. Radiation and its Effects on Components and Systems 2008.
6. G. BUSATTO, G. CURR, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI (2006). Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment. In: Proc. Radiation and its Effects on Components and Systems 2006.
7. A.PORZIO, G. BUSATTO, F. VELARDI, F. IANNUZZO, A. SANSEVERINO, G. CURR (2005). Experimental and 3D Simulation Study on the Role of the Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power MOSFET. In: Proc. Radiation and its Effects on Components and Systems 2005.
8. G. BUSATTO, A. PORZIO, F. VELARDI, F. IANNUZZO, A. SANSEVERINO, G. CURR (2005). Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET. In: Proc. ESREF 2005.
9. G. BUSATTO, A. CASCIO, G. CURR, F. FRISINA, F. IANNUZZO, A. PORZIO, A. SANSEVERINO, F. VELARDI (2004). Cosmic ray effects on power MOSFET. In: Proc. SPEEDAM. p. 643-647
10. G. BUSATTO, C. ABBATE, B. CASCONE, R. MANZO, L. FRATELLI, G. GIANNINI, F. IANNUZZO, F. VELARDI (2003). Characterisation of High-Voltage IGBT Modules at High Temperature and High Currents. In: Proc. of PEDS 2003. NOVEMBRE
11. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. SANSEVERINO, A. CANDELORI, G. CURR, A. CASCIO, F. FRISINA, A. CAVAGNOLI (2003). Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure. In: Proc. 8th Radiation and its effects on components and Systems.
12. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. SANSEVERINO (2002). An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure. In: Proc. of Radiation Effects on Components and Systems Conference, RADECS'2002. p. 187-190
13. G. BUSATTO, R. LA CAPRUCCIA, F. IANNUZZO, F. VELARDI, R. RONCELLA (2002). An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing. In: -. p. 135-142
14. F. VELARDI, F. IANNUZZO, G. BUSATTO, J. WYSS, A. CANDELORI (2002). Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact. In: Proc. of International Seminar on Power Semiconductors. p. 75-80
15. C. NATALE, VELARDI F, C. VISONE (2001). Modelling and Compensation of Hysteresis for Magnetostrictive Actuators. In: IEEE/ASME International Conference on Advanced Intelligent Mechatronics. p. 744-749