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SANSEVERINO ANNUNZIATA - Professore Associato

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Afferente a: Dipartimento: Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"

Settore Scientifico Disciplinare: ING-INF/01

Orari di ricevimento: Martedì 10-12 Giovedì 10-12

Recapiti:
E-Mail: a.sanseverino@unicas.it
Telefono ufficio: 0776 299 4004

  • Insegnamento ELETTRONICA DIGITALE (30202)

    Secondo anno di Ingegneria Informatica (LM-32), Generale
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 9,00

    Programma:
    I circuiti digitali: generalità. Richiami su: transistore MOSFET, invertitori elementari, porte logiche elementari. Nand e Nord in tecnologia Nmos e Cmos. Le capacità del Mosfet. Tecnologia dei circuiti integrati.
    Famiglie logiche standard. Porte AOI- Porte tri state- Invertitore con isteresi- Logiche cablate- Open drain.
    Circuiti combinatory: Half adder- Full adder 1bit. Fill adder 4bit. Decoder- Encoder. Multiplexer e demultiplexer. Le logiche programmabili: dal PLA a FPGA.
    Circuit sequenziali. Latch SR-FFJK-FFD-FFT
    Logiche FCMOS. Logiche a pass transistor.
    Logiche dinamiche. Logiche 1 fase, 2 fasi, 4 fasi.
    Flip Flop pseudostatici e dinamici
    Memorie: classificazione. Architettura di memorie ROM.
    Memorie EPROM, EEPROM e FLASH. Architettura delle memorie RWM.
    Memorie DRAM. Cella a 4 transistori. Cella ad 1 transistore. Circuiti di lettura.
    Generalità sui linguaggi HDL. Introduzione al VHDL. L'ambiente di sviluppo QUARTUS II ALTERA.
    Esercitazioni VHDL.

    Testi:
    P. Spirito Elettronica Digitale Ed. Mc Graw Hill. Appunti del docente sul VHDL.

    Valutazione:
    Verifica orale sulla parte teorica del corso. Discussione del progetto sviluppato durante il corso.

  • Insegnamento FPGA - Based Digital System Design (90837)

    Secondo anno di Telecommunications Engineering (LM-27), Curriculum unico
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 6,00

    Programma:
    Introduzione al corso. DTE, DCE, sistema di comunicazione numerica. ACIA, LCU. RS232 standard. Connessioni tipiche
    Introduzione alla modulazione FSK. Modulazione MSK e GMSK. Modem GSM.
    Esercizio: verifica di una comunicazione RS232. L'uso di un modulo GSM commerciale.
    Modulazione FSK: standard Bell202. Il generatore sinusoidale su FPGA.
    Esercizio: modulatore e demodulatore FSK utilizzando l'hardware FPGA.
    Modulatore e demodulatore BPSK su FPGA
    Modulazione QPSK. Trasmettitore e ricevitore su FPGA. Ripristino della sincronizzazione di carrier e bit.
    Implementazione di un convertitore ADC - DAC su FPGA.
    8 modulazione PSK. Trasmettitore e ricevitore su hardware FPGA.
    Modulazione QAM. Trasmettitore e ricevitore 16QAM su FPGA. Standard ADSL. Modem ad alta velocità.
    Progetto finale.

    Testi:
    Digital Communications 4th Edition - John Proakis
    Digital Communication Systems - Simon Haykin - ( John Wiley & Sons, Inc. - 2014 - pp.802)

    Valutazione:
    Discussione di un progetto finale realizzato dallo studenti durante il corso

  • Insegnamento FPGA - Based Digital System Design (90837)

    Secondo anno di Ingegneria Informatica (LM-32), Generale
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 6,00

    Programma:
    Introduzione al corso. DTE, DCE, sistema di comunicazione numerica. ACIA, LCU. RS232 standard. Connessioni tipiche
    Introduzione alla modulazione FSK. Modulazione MSK e GMSK. Modem GSM.
    Esercizio: verifica di una comunicazione RS232. L'uso di un modulo GSM commerciale.
    Modulazione FSK: standard Bell202. Il generatore sinusoidale su FPGA.
    Esercizio: modulatore e demodulatore FSK utilizzando l'hardware FPGA.
    Modulatore e demodulatore BPSK su FPGA
    Modulazione QPSK. Trasmettitore e ricevitore su FPGA. Ripristino della sincronizzazione di carrier e bit.
    Implementazione di un convertitore ADC - DAC su FPGA.
    8 modulazione PSK. Trasmettitore e ricevitore su hardware FPGA.
    Modulazione QAM. Trasmettitore e ricevitore 16QAM su FPGA. Standard ADSL. Modem ad alta velocità.
    Progetto finale.

    Testi:
    Digital Communications 4th Edition - John Proakis
    Digital Communication Systems - Simon Haykin - ( John Wiley & Sons, Inc. - 2014 - pp.802)

    Valutazione:
    Discussione di un progetto finale realizzato dallo studenti durante il corso

Prenotazione appello

E' possibile prenotarsi ad un appello d'esame, collegandosi al portale studenti.

Elenco appelli d'esame disponibili

  • Denominazione insegnamento: 90776 COMPLEMENTI DI ELETTRONICA - Ingegneria industriale - (2015/2016)
    Data e ora appello: 16/07/2020, ore 10:00
    Luogo: meet
    Tipo prova: prova scritta
    Prenotabile: dal 15/03/2017 al 13/04/2017 (prenota l'appello)
  • Denominazione insegnamento: 90837 FPGA - Based Digital System Design - Ingegneria Informatica 90837 FPGA - Based Digital System Design - Telecommunications Engineering - Ingegneria delle Telecomunicazioni - (2019/2020)
    Data e ora appello: 23/07/2020, ore 14:00
    Luogo: aula 1S3
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 17/10/2019 al 22/07/2020 (prenota l'appello)
  • Denominazione insegnamento: 30202 ELETTRONICA DIGITALE - Ingegneria Informatica 90241 ELETTRONICA DIGITALE NESSUNA CANALIZZAZIONE - Ingegneria Informatica - (2019/2020)
    Data e ora appello: 18/09/2020, ore 10:00
    Luogo: aula 1S3
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 17/10/2019 al 17/09/2020 (prenota l'appello)
  • Denominazione insegnamento: 90837 FPGA - Based Digital System Design - Ingegneria Informatica 90837 FPGA - Based Digital System Design - Telecommunications Engineering - Ingegneria delle Telecomunicazioni - (2019/2020)
    Data e ora appello: 18/09/2020, ore 14:00
    Luogo: aula 1S4
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 17/10/2019 al 17/09/2020 (prenota l'appello)

CURRICULUM VITAE DI ANNUNZIATA SANSEVERINO


• Dati anagrafici

Annunziata Sanseverino
Nata a Napoli il 16 Novembre 1965
Residente in Cassino, Via Di Biasio 140
Telefono: 320 4784300
E-mail: a.sanseverino@ unicas.it


• Percorso scolastico

Studi:
Laurea in Ingegneria Elettronica conseguita presso l’ Università degli Studi di Napoli “Federico II” nel 1991. Titolo della tesi: Simulazione CAD di un BMFET di potenza. Relatori i proff. G.F. Vitale e G. Busatto. Votazione finale 109/110.
Formazione post laurea:
Titolo di Dottore in ricerca conseguito nel 1995 discutendo una tesi sul “Rilievo sperimentale del lifetime di ricombinazione con tecnica differenziale e determinazione dei centri di ricombinazione”. Tutore il prof. P. Spirito.
Borse di studio:
1. Fruizione nel 1995 di una borsa di studio CNR di durata di 9 mesi + 45gg nell’ ambito del progetto finalizzato MADESS svolta presso il Dipartimento di Ingegneria Elettronica dell’ Università degli studi di Napoli “Federico II” svolta sotto la direzione del prof. P. Spirito.
2. Fruizione nel 1996 di una borsa di studio per attività di ricerca post-dottorato di durata biennale presso il Dipartimento presso il Dipartimento di Ingegneria Elettronica dell’ Università degli studi di Napoli “Federico II”. Responsabile scientifico il prof. P. Spirito.


• Rapporti di collaborazione

1. Dicembre 1994 – Maggio 1995 Collaborazione con il Consorzio per la Ricerca Microelettronica nel Mezzogiorno (CORIMME). Oggetto della collaborazione è stato uno “Studio sulla caratterizzazione delle difettosità nel silicio a seguito di processi tecnologici ed in particolare dell’ effetto di riduzione controllata del lifetime a mezzo impiantazione ionica
2. Aprile 1998 - Marzo 2000 Collaborazione con la ST-Microelectronics sul tema: “Misura del lifetime di ricombinazione nei semiconduttori con una nuova tecnica elettrica”.


• Posizione lavorativa

Professore confermato di seconda fascia per il settore scientifico disciplinare ING-INF/01 presso la Facoltà di Ingegneria dell’ Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale dal 1 marzo 2005 dove afferisce al DIEI.

Ricercatore dal 1 Marzo 2000 al 28 Febbraio 2005 presso la Facoltà di Ingegneria della Università degli studi di Napoli “Federico II”, afferente al Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica per il settore K01X.



• Attività didattica

Attività didattica svolta presso la Facoltà di Ingegneria dell’ Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale:

- Negli anni accademici 2011/12/13/14/15 la Prof.ssa Sanseverino ha tenuto per titolarità l’insegnamento di “Elettronica”, erogato al secondo (terzo) anno del Corso di Laurea in Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni.

- Nell’ anno accademico 2009/2010 la Prof.ssa Sanseverino ha tenuto per titolarità l’insegnamento di “Elettronica”, erogato al secondo anno del Corso di Laurea in Ingegneria delle Telecomunicazioni ed il Corso di “Elettronica Digitale”, erogato al primo anno del Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettrica.
- Negli anni accademici 2004/05, 2005/06, 2006/07, 2007/08 2008/2009 la Prof.ssa Sanseverino ha tenuto per titolarità l’insegnamento di “Elettronica Analogica”, erogato al secondo anno del Corso di Laurea in Ingegneria delle Telecomunicazioni;
- Negli anni accademici 2005/06, 2007/08 2008/2009 ha tenuto per supplenza l’insegnamento di “Elettronica IIII”, erogato al primo anno del Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria Elettrica;
- Negli anni accademici 2005/06, 2006/07, 2007/08 2008/2009 ha tenuto per supplenza l’insegnamento di "Progettazione di Sistemi su Silicio", insegnamento a scelta erogato al secondo anno del Corso di Laurea Specialistica in Ingegneria delle Telecomunicazioni.

Attività didattica svolta presso la Facoltà di Ingegneria dell’ Università degli Studi di Napoli “Federico II”.

- Nell’ anno accademico 2001/02, titolare per supplenza del Corso di Elettronica Applicata per il Corso di Diploma Universitario in Ingegneria Informatica.
- Nell’anno accademico 2001/02, titolare per supplenza del Corso di Elettronica Analogica per il Corso di Laurea in Ingegneria delle Telecomunicazioni.
- Negli anni accademici 1999/00 e 2000/01, titolare per supplenza del Corso di Elettronica Applicata per il Corso di Diploma Universitario in Ingegneria Informatica.
- Nell’ anno accademico 1998/99, conferimento dal Consiglio della Facoltà di Ingegneria di un contratto ai sensi dell’ art.1 della Legge 549/95 per la copertura del Corso di Elettronica Applicata per il Corso di Diploma Universitario in Ingegneria Informatica.
- Negli anni accademici 1995/96 1996/97 e 1997/98 attività di tutorato per il corso di Elettronica II presso il Polo Tecnologico di Napoli del Consorzio Nettuno, Università di Napoli “Federico II”, nell’ ambito delle iniziative didattiche del progetto Tele università.
- Nell’’ anno accademico 1994/95 attività di tutorato per il corso di Elettronica I presso il Polo Tecnologico Alenia - IRI Management


Nell’ ambito dei corsi tenuti la Prof.ssa Sanseverino è stata correlatrice di numerose tesi di laurea, sia teoriche che sperimentali.

• Attività di ricerca

L’attività di ricerca della dott.ssa Annunziata Sanseverino, è stata svolta sia presso il DAEIMI di Cassino che presso il Dipartimento di Elettronica di Napoli, ed è testimoniata dai numerosi lavori su riviste internazionali e su atti di convegni. La dott.ssa Sanseverino ha partecipato a numerosi progetti di ricerca con collaborazioni nazionali ed internazionali. La sua attività di ricerca può essere raggruppabile nei seguenti filoni:
Studio dei meccanismi di impatto di particelle cosmiche su dispositivi di potenza e relativa modellistica.
Caratterizzazione del profilo del lifetime di ricombinazione in strati di silicio.
Caratterizzazione del comportamento dei diodi agli alti livelli di iniezione.
Caratterizzazione di processi tecnologici per la realizzazione di celle solari attraverso misure di lifetime.
Sviluppo e utilizzo di tecniche innovative per la caratterizzazione della ricombinazione superficiale e del materiale semiconduttore massivo di celle fotovoltaiche innovative basate su silicio cristallino- silicio amorfo.
Industrializzazione di celle solari in silicio cristallino ad alta efficienza.

PUBBLICATIONS

Journals:

1. C.Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, D.Tedesco, F.Velardi, “ Experimental Study of the Instabilities Observed in 650 V Enhancement Mode GaN HEMT during Short Circuit, accepted on Microelectronics Reliability 2017.

2. C.Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, F.Velardi, C.Ronsisvalle, Sara Iavarone, “Measurement of IGBT High Frequency Input Impedance in Short Circuit, in IEEE Transactions on Power Electronics Vol.32, Issue 1. January 2017, pp. 584-592, DOI: 10.1109/TPEL.2016.2532332.

3. C.Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, F.Velardi, C.Ronsisvalle, “Analysis of Low and High Frequency Oscillations in IGBTs during Turn on Short Circuit”, Transaction on Electron Devices, September 2015.

4. C.Abbate, G.Busatto, P.Cova, N.Delmonte, F.Giuliani, F.Iannuzzo, A.Sanseverino, F.Velardi,”Analysis of heavy ion irradiation induced thermal damage in SiC Schottky Diodes”, IEEE Transaction on Nuclear Science, Vol.62, No.1, pp.202-209, 2015.

5. C.Abbate, F.Iannuzzo, G.Busatto, A.Sanseverino, F.Velardi, C.Ronsisvalle, J.Victory,” Turn-off instabilities in large area IGBTs” Microelectronics Reliability, Vol.54, No.9, pp.1927-1934, 2014.

6. C.Abbate, M. Alderighi, S.Baccaro, G.Busatto, M.Citterio, P.Cova, N.Belmonte, V. De Luca, S. Fiore, S.Gerardin, E.Ghisolfi, F.Giuliani, F.Iannuzzo, A.Lanza, S.Latorre, M.Lazzaroni, G.Meneghesso, A.Paccagnella, F.Rampazzo, M.Riva, A.Sanseverino, R.Silvestri, G.Spiazzi, F.Velardi, E.Zanoni, “Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades”, Journal of Instrumentation, Vol.9, February 2104.

7. C. Abbate, G.Busatto, F. Iannuzzo, C.Ronsisvalle, A. Sanseverino, F.Velardi, “Scattering parameter approach applied to the stability analysis of power IGBTs in Short Circuit” Microelectronics Reliability Vol.53, Issue9-11, pp.1707-1712, 2013.

8. G.Busatto, V.De Luca, F.Iannuzzo, A.Sanseverino, F.Velardi, “Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ion Irradiations Performed after Gamma Ray Degradation”, IEEE Trans. on Nuclear Science, Vol. 60, Issue: 5, Part: 3, 2013, pp. 3793-3801, DOI: 10.1109/TNS.2013.2278038

9. M. Alderighi, M.Citterio, M. Riva, S.Latorre, A.Costabeber, A.Paccagnella, F.Sichirollo, G.Spiazzi, M.Stellini, P.Tenti, P. Cova, N.Delmonte, A.Lanza, M.Bernardoni, R.Menozzi, S.Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca, F. Velardi, “Power converters for future LHC experiments”, Journal of Instrumentation, Vol. 7, March 2012, pp. 1-15. ISSN: 1748-0221, doi: 10.1088/1748-0221/7/03/C03012

10. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, "Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure", Microelectronics Reliability, Vol. 52, Issues 9-10, Pages 2363-2367, September-October 2012.

11. S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N.Delmonte, F. Iannuzzo, A.Lanza, M. Riva, A. Sanseverino, G.Spiazzi "Reliability oriented design of power supplies for high energy physics applications", Microelectronics Reliability, Vol. 52, Issues 9-10, pp. 2465-2470, September-October 2012.

12. L.Silvestrin, D.Bisello, G.Busatto, P.Giubilato, F.Iannuzzo, S.Mattiazzo, D.Pantano, A.Sanseverino, M.Tessaro, F.Velardi, J.Wyss (2012), “A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility”. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms, vol. 273, February 2012, p. 234-236, ISSN: 0168-583X, doi: 10.1016/j.nimb.2011.07.083

13. G.Busatto, D. Bisello, G.Currò, P.Giubilato, F.Iannuzzo, S.Mattiazzo, D.Pantano, A.Sanseverino, L. Silvestrin, M.Tessaro, F.Velardi, J.Wyss, "A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs", Microelectronics Reliability, Volume 51, Issues 9-11, September-November 2011, Pages 1995-1998, ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2011.07.023.

14. G.Busatto, G.Curro’, F.Iannuzzo, A.Porzio, A.Sanseverino, F.Velardi, “Experimental study and numerical investigation on the formation of single event gate damages induced on medium voltage power MOSFET”, Microelectronics Reliability, Volume 50, Issues 9-11, September-November 2010, Pages 1842-1847, ISSN 0026-2714, DOI: 10.1016/j.microrel.2010.07.039.

15. C. Ronsisvalle, V. Enea, C.Abbate, G. Busatto, A.Sanseverino,” Perspective Performances of MOS-Gated GTO in High-Power Applications”, Electron Devices, IEEE Transaction on, Vol: 57, Issue: 9, 2010, pp. 2339, 2343, DOI: 10.1109/TED.2010.2055315.

16. G.Busatto, G.Currò, F.Iannuzzo, A.Porzio, A.Sanseverino, F.Velardi, “Heavy Ions Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFETs”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Volume: 56, Issue: 6, Part: 2, 2009, Page(s): 3573 – 3581. DOI: 10.1109/TNS.2009.2032397.

17. G.Busatto, G.Currò, F.Iannuzzo, A.Porzio, A.Sanseverino, F.Velardi, “Experimental Study about Gate Oxide Damages in Patterned MOS Capacitor Irradiated with Heavy Ions”, Microelectronics Reliability, Volume 49, Issues 9-11, September-November 2009, Pages 1033-1037.

18. G.Busatto, G.Currò, F.Iannuzzo, A.Porzio, A.Sanseverino, F.Velardi, “Experimental evidence of latent gate oxide damages“ in medium voltage power MOSFET as a result of heavy ions exposure”, Microelectronics Reliability, Vol.48, Issue 8-9,August-September 2008, pp.1306-130.

19. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi and G.Currò, "Experimental study of power MOSFET’s gate damage in radiation environment", Microelectronics and Reliability, Vol. 46, Issues 9-11, pp. 1854-1857, September - November 2006.

20. G. Busatto, A. Porzio, F. Velardi, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G.Currò, “Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET”, Microelectronics Reliability, Vol.45, No. 10-14, pp. 1711-1716, October 2005.

21. P.Spirito, S.Daliento, A.Sanseverino, L.Gialanella, M.Romano, B.M.Limata, R.Carta, L.Bellemo, “Characterization of Recombination Centers in Si Epilayers after He Implantation by Direct Measurement of Local Lifetime Distribution with the AC Lifetime Profiling Technique”, Electron Device Letters, IEEE,Volume:25,Issue:9,Sept.2004, Pages:602 – 604.
22. F.Velardi, F.Iannuzzo, G.Busatto, A.Porzio, A.Sanseverino, G.Currò, A.Cascio, F.Frisina, “The Role of the Parasitic BJT Parameters on the Reliability of New Generation Power MOSFET during Heavy Ion Exposure”, Microelectronics Reliability, Vol. 44, No.9-11, pp. 1407-1411, September - November 2004.

23. S.Daliento, F.Roca, A.Sanseverino, P.Spirito, “An Electrical Technique for the Measurement of the Interface Recombination Velocity Based on a Three Terminal Test Structure”, Materials Science and Engineering B102 (2003) 198-202.

24. F.Velardi, F.Iannuzzo, G.Busatto, J.Wyss, A.Sanseverino, A.Candelori, G.Currò, A.Cascio, F.Frisina “Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment”, Microelectronics Reliability, Vol. 43/7-10, pp.1847-1851, October 2003.

25. S.Bellone, S.Daliento, A.Sanseverino, “Modelling of the Input Characteristics of Bipolar JFET Structures”, Solid State Electronics, Vol 45 (2001), 438-488.

26. S.Bellone, S. Daliento, A. Sanseverino, “A Measurement Method of the Ideal I-V Characteristic of Diodes Up to the Built-in Voltage Limit”, Solid State Electronics, Vol. 43 (1999), 1201-1207.

27. S.Daliento, A.Sanseverino, P.Spirito, “An Improved Model for the Extraction of Strongly Spatial Dependent Lifetimes with a.c. Lifetime Profiling Technique”, IEEE Transaction on Electron Device, Vol. 46, 8 Aug.1999 pp.1808-1810.

28. P.Spirito, S.Daliento, A.Sanseverino, L.Zeni, “Comments on: Temperature Dependence of Carrier Lifetime in Si wafer”, Journal of Electrochemical Society, Vol. 146 No. 3 1999.

29. S.Daliento, A.Sanseverino, P.Spirito, “An Improved Test Structure for Recombination Lifetime Profile Measurements in Very Thick Silicon Wafers”, IEEE Electron Device Letters, Vol. 20, No. 1, January 1999.

30. S.Daliento, A.Sanseverino, P.Spirito, L.Zeni,” Parametric Description on the Effect on Electron Irradiation on Recombination Lifetime in Silicon Layer: An Experimental Approach” IEEE Trans. On Power Electronic, Vol. 14, No. 1, January 1999.

31. A.Cutolo, S.Daliento, A.Sanseverino, G.F.Vitale,” An Optical Technique to Measure the Bulk Lifetime and the Surface Recombination Velocity in Silicon Samples Based on a Laser Diode Probe System”, Solid State Electronics, Vol.42, No. 6, pp. 1035-1038, 1998.

32. P.Spirito, S.Daliento, A.Sanseverino, “Comments on Minority Carrier Lifetime Measurements in Epitaxial Silicon Layers”, Journal of Electrochemical Society, Vol.145, No.6, 1998.

33. S.Daliento, A.Sanseverino, P.M.Sarro, P.Spirito, L.Zeni, “Recombination Centres Identification in Very Thin Silicon Epitaxial Layers via Lifetime Measurements”, IEEE Electron. Devices Letters, Vol.17, No.3, pp.148-150, 1996.

34. S.Daliento, A.Sanseverino, P.Spirito, L.Zeni, “Experimental Investigation on the Effect of Irradiation on the Distribution of Recombination Centres in Silicon Epitaxial Layers”, Alta Frequenza, Vol.8, No.2, pp. 54-56, 1996.

35. S.Daliento, N.Rinaldi, A.Sanseverino, P.Spirito, ”Two Dimensional Analysis of a Test Structure for Lifetime Profile Measurements”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 42, No.11, pp. 1924-1995, 1995.

36. P.Spirito, A.Sanseverino, “Determination of the Energy Levels of the Recombination Centers in Low-Doped Si Layers by Temperature Dependence of Recombination Lifetime”, Solid State Electron., Vol. 37, No.7, pp.1429-1435, 1994.

37. P.Spirito, S.Daliento, A.Sanseverino, ”Recombination Lifetime Measurements in Silicon”, Electron Technology, Vol. 27, No.3/4, pp.3-21, 1994


Conferences:

1. C.Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, C.Ronsisvalle, “Experimental and Numerical Study of Low and high Frequency Oscillations in IGBTs during Short Circuit”, pp. 1-8, Proceeding of PCIM Europe, International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, 2014.

2. C.Abbate, G.Busatto, P.Cova, N.Delmonte, F.Giuliani, F.Iannuzzo, A.Sanseverino, F.Velardi, “Numerical Simulation of SEB Induced by Heavy Ions in Silicon Carbide Schottky Diode”, 2014 NSREC 2014, IEEE Nuclear and Space radiation Effects Conference, Paris, France, July 14-18, 2014.

3. C. Abbate, S. Baccaro, G. Busatto, M.Citterio, P. Cova, N.Delmonte, V. De Luca, S. Fiore, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S.Latorre, M.Lazzaroni, A.Sanseverino, G.Spiazzi, F. Velardi, “Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment”, ACES 2014 – Fourth Common ATLAS CMS Electronics Workshop for LHC upgrades, 18-20 March 2014 CERN.

4. P.Guerriero, A. Sanseverino, S.Daliento, “Lifetime Profile Reconstruction in Helium Implanted Silicon for Planar IGBTs”, Miel 2014, 12-14 May Belgrade, Serbia.

5. C. Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, C.Ronsisvalle, Experimental and Numerical Study of Low and High Frequency Oscillations in IGBTs during Short Circuit, PCIM 2014, Nuremberg.

6. S.Fiore, C.Abbate, S.Baccaro, G.Busatto,M.Citterio, F.Iannuzzo,A.Lanza, S.Latorre, M.Lazzaroni, A.Sanseverino, F.Velardi “Radiation and magnetic field effects on new semiconductor power devices for HL-LHC experiments”, 14th ICAPTT Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics and Detectors for Physics and Applications, Villa Olmo (Como-Italia) 23-27 September 2013.

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3. C. Abbate, S. Baccaro, G. Busatto, M.Citterio, P. Cova, N.Delmonte, V. De Luca, S. Fiore, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S.Latorre, M.Lazzaroni, A.Sanseverino, G.Spiazzi, F. Velardi, “Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment”, ACES 2014 – Fourth Common ATLAS CMS Electronics Workshop for LHC upgrades, 18-20 March 2014 CERN.

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[Ultima modifica: mercoledì 30 novembre 2016]