Stampa la pagina Condividi su Google Condividi su Twitter Condividi su Facebook Scheda Docente

BUSATTO GIOVANNI - Professore Ordinario

English version

Afferente a: Dipartimento: Ingegneria Elettrica e dell'Informazione "Maurizio Scarano"

Settore Scientifico Disciplinare: ING-INF/01

Orari di ricevimento: Martedì, 12-13 Giovedì 12-13

Recapiti:
E-Mail: busatto@unicas.it

  • Insegnamento Electronics for Communication Systems (90824)

    Secondo anno di Telecommunications Engineering (LM-27), Curriculum unico
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 9,00
  • Insegnamento DESIGN OF ELECTRONIC SYSTEMS (92334)

    Secondo anno di Mechanical Engineering (LM-33), Curriculum unico
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 6,00

    Programma:
    Introduzione ai segnali e alle loro rappresentazioni.
    Schema a blocchi di un amplificatore, le sue caratteristiche, risposta armonica.

    L'amplificatore operazionale
    Configurazione invertente e non invertente
    Amplificatore di differenza
    Amplificatore per strumentazione
    Risposta armonica dell'amplificatore operazionale invertente e non invertente
    Non idealità di un amplificatore operazionale

    Principali caratteristiche degli amplificatori operazionali di potenza
    Filtri attivi
    Super diodo e sue applicazioni

    Comparatori
    Multivibratori bistabile, astable e monostabile

    Introduzione alla logica digitale
    Stati binari e livelli logici digitali
    porte non danneggiate

    Implementazione di una logica digitale
    Espressione logica booleana
    FPGA e HDL
    Introduzione all'hardware digitale
    Introduzione a Quartus
    Logica di combinazione
    Circuiti sommatori
    MUX e DEMUX
    Base della logica sequenziale

    Testi:
    Sedra-Smith, "Microelectronics circuits", Oxford University Press

  • Insegnamento ELETTRONICA DI POTENZA (92361)

    Secondo anno di Ingegneria Elettrica (LM-28), Curriculum unico
    Crediti Formativi Universitari (CFU): 9,00

Prenotazione appello

E' possibile prenotarsi ad un appello d'esame, collegandosi al portale studenti.

Elenco appelli d'esame disponibili

  • Denominazione insegnamento: 30205 ELETTRONICA PER LE TELECOMUNICAZIONI - INGEGNERIA DELLE TELECOMUNICAZIONI 30205 ELETTRONICA PER LE TELECOMUNICAZIONI - Ingegneria delle Telecomunicazioni 90272 ELETTRONICA PER LE TELECOMUNICAZIONI - Ingegneria delle Telecomunicazioni 90824 Electronics for Communication Systems - Telecommunications Engineering - Ingegneria delle Telecomunicazioni 90824 Electronics for Communication Systems - Telecommunications Engineering - (2020/2021)
    Data e ora appello: 16/09/2021, ore 09:30
    Luogo: room to be defined enrollment for this exam allowed until two days before it
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 03/12/2020 al 14/09/2021 (prenota l'appello)
  • Denominazione insegnamento: 92334 DESIGN OF ELECTRONIC SYSTEMS - Mechanical Engineering - (2020/2021)
    Data e ora appello: 16/09/2021, ore 09:30
    Luogo: room to be defined enrollment for this exam allowed until two days before it
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 03/12/2020 al 14/09/2021 (prenota l'appello)
  • Denominazione insegnamento: 32384 ELETTRONICA DI POTENZA - Ingegneria Elettrica 32384 ELETTRONICA DI POTENZA - Ingegneria Elettrica - 7055 92361 ELETTRONICA DI POTENZA - Ingegneria Elettrica - (2020/2021)
    Data e ora appello: 16/09/2021, ore 09:30
    Luogo: aula da definire è possibile prenotarsi fino a due giorni prima dell'esame
    Tipo prova: prova orale
    Prenotabile: dal 03/12/2020 al 14/09/2021 (prenota l'appello)

Prof. Ing. Giovanni Busatto
Indirizzo: Via Sferracavalli, snc. 03043 Cassino (FR)
Telefono: Ufficio 0776 2993699 Cellulare: 347 9241693 Abitazione: 0776 312165
Fax: 07761800620
E-mail: busatto@unicas.it
Cittadinanza: Italiana
Data di nascita: 25 ottobre 1957

Istruzione e formazione:
Laurea in Ingegneria Elettronica conseguita presso l’Università degli Studi di Napoli “Federico II” nel 1983, con Voto 110/110 e lode, su una tesi dal titolo “Progetto di una stazione di alimentazione per apparati di teletrasmissioni”

Attuale occupazione: Professore Ordinario di Elettronica - Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale
Esperienza professionale.

Precedenti occupazioni:

Dal 01/09/1981 a al 31/03/1984
Lavoro o posizione ricoperti: Progettista Elettronico
Principali attività e responsabilità: Progettista di alimentatori switching
Nome e indirizzo del datore di lavoro: Millmann SrL, Vico Acitillo, 80128 Napoli
Tipo di attività o settore: Progettazione e Realizzazione circuiti elettronici professionali per le Telecomunicazioni e per la conversione dell'energia Elettrica.

Dal 01/04/1984 a al 31/10/1992
Ricercatore presso l’Istituto di Ricerca per l’Elettromagnetismo e i Componenti Elettronici (I.R.E.C.E.) del CNR, Via Claudio, 21, 80125 Napoli
Principali attività e responsabilità
dal 1986 al 1987: Visiting Scientist presso il “T.J. Watson Research Center” dell’IBM a Yorktown Heights, NY.
Responsabile delle attività di ricerca sui Dispositivi di Potenza
Responsabile del Laboratorio di Elettronica dell’I.R.E.C.E.

Dal 01/11/1992 al 31/10/1998
Professore Associato per il Settore Scientifico/Disciplinare ING-INF/01 Elettronica
Presso il Dipartimento di Ingegneria Elettronica e delle Telecomunicazioni, Università di Napoli “Federico II”, Via Claudio, 21, 80125 Napoli
Principali attività e responsabilità:
Visiting Researcher al NIST (National Institute of Standard and Technology) - Gaitersburg - MD - USA.
Responsabile scientifico di progetti di ricerca svolti in collaborazione con:
ANSALDO Trasporti SpA, CRIS - Consorzio Ricerche Innovative per il Sud: Aziende italiane leader nei settori dell’Elettronica di Potenza.
Docente di vari corsi di Elettronica

Dal 01/11/1999 al 30/09/2001
Professore Associato per il Settore Scientifico/Disciplinare ING-INF/01 Elettronica
Presso il Dipartimento di Automazione, Elettromagnetismo, Ingegneria dell’Informazione e Matematica Industriale Università di Cassino, Via G. Di Biasio, 43 03043 Cassino (FR)
Principali attività e responsabilità:
Responsabile scientifico di progetti di ricerca svolti in collaborazione con:
ANSALDO Trasporti SpA, CRIS - Consorzio Ricerche Innovative per il Sud: Aziende italiane leader nei settori dell’Elettronica di Potenza.
Docente di vari corsi di Elettronica

Dal 01/10/2001 a tutt’oggi
Professore Ordinario per il Settore Scientifico/Disciplinare ING-INF/01 Elettronica presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione dell'Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale

Principali attività e responsabilità:
dal 2008 a 2010: Responsabile dell’Unità di ricerca di Cassino nell’ambito del progetto di ricerca dal titolo “Analisi di dispositivi per l'alimentazione elettronica in presenza di elevatissimi gradi di radiazione” inserito nel Programma di ricerca di Rilevanza Nazionale (PRIN), Bando 2007, dal titolo “Alimentazione di potenza in ambiente ostile: applicazione ad esperimenti di fisica delle alte energie";

dal 2004 al 2006: Coordinatore Nazionale di un progetto PRIN (Programma di ricerca di Rilevanza Nazionale), Bando 2004, dal titolo “Convertitori Integrati DC/DC a Commutazione Risonante per Alimentazione Distribuita” finanziato dal Ministero dell’Università e della Ricerca Scientifica. Sedi coinvolte: Università di Cassino, Università di Milano, Università di Padova e Università di Parma;

dal 2001 al 2003: Coordinatore Nazionale di un progetto nazionale di ricerca di durata triennale dal titolo “Convertitori a commutazione innovativi ad alto rendimento e dispositivi di potenza per applicazioni spaziali“ finanziato dalla Agenzia Spaziale Italiana. Sedi coinvolte: Università di Cassino, Università di Milano e Università di Padova;

dal 2013 al 2016: Responsabile Scientifico per il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale, del contratto di ricerca con la società Fairchild Semiconductors Corporation, USA, orientato al miglioramento della stabilità in corto circuito e delle caratteristiche di commutazione degli IGBT con tecnologia Field Stop;

dal 2012 a 2015: Responsabile Scientifico per il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale, del contratto di ricerca dal titolo “IGBT e topologie di conversione innovative nei Trasformatori Elettronici di Potenza ad Alta Efficienza per trazione ferroviaria” stipulato con la società ANSALDOBREDA SpA, Napoli, Italia, nell'ambito del PON dal titolo SFERE (Sistemi Ferroviari: Ecosostenibilità e Risparmio Energetico);

dal 2008 al 2010: Responsabile Scientifico per il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale, del contratto di ricerca dal titolo “Connessione di IGBT in serie per convertitori monostadio ad alta tensione e Tecniche risonanti di conversione statica” stipulato con la società ANSALDOBREDA SpA, Napoli, Italia, nell'ambito del PON dal titolo TEINTRE (TEcnologie INnovative per la TRazione Elettrica);

dal 2003 al 2009: Responsabile Scientifico per il Dipartimento Automazione, Elettromagnetismo, Ingegneria dell'Informazione e Matematica Industriale, dell'Università degli Studi di Cassino, del contratto di ricerca dal titolo: "Studio dei Sigle Event Effect in Dispositivi di Potenza e Dispositivi SOI” nell'ambito del quale la STMicroelectronics ha sviluppato una famiglia di Power MOSFET Radiation- Tolerant per le applicazioni spaziali;

dal 2007 al 2008: Responsabile Scientifico per il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale, del contratto di ricerca dal titolo “Safe Characterization of Power IGBT Modules at safe operating limits” stipulato con la ECPE – European Center for Power Electronics;

dal 2006 al 2008: Responsabile Scientifico per il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione, Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale, del contratto di ricerca dal titolo “IGBT press-pack e moduli ad alta tensione di isolamento” stipulato con la società ANSALDOBREDA SpA, Napoli, Italia, nell'ambito del PON dal titolo INTERMOD (INTERMODalità ferroviaria);

dal 2000 al 2002: Responsabile Scientifico per il Dipartimento Automazione, Elettromagnetismo, Ingegneria dell'Informazione e Matematica Industriale, dell'Università degli Studi di Cassino, del contratto di ricerca dal titolo: "Development of smart driver for high voltage IGBT modules and non-destructive testing of devices" stipulato con la società ANSALDOBREDA SpA, Napoli, Italia, nell’ambito del IV programma quadro. Titolo del progetto: “HIMRATE (High-temperature IGBT and MOSFET modules for railway traction and automotive electronics);

dal 1999 al 2001: Responsabile scientifico delle attività inerenti la caratterizzazione dei dispositivi di potenza nell'ambito del Work-Package no. 4: “Studio di convertitori innovativi per la trazione elettrica: modelli, compatibilità, ambienti di sviluppo ed architetture multimediali secondo Standard CALS” relativo al Programma Operativo del “Piano di potenziamento rete scientifica e tecnologica” (Decreto n.191 del 31/05/1999 del Dipartimento per lo Sviluppo e il Potenziamento dell’Attività di Ricerca – ex MURST) - Cluster 12: “Elettronica di potenza ed applicazioni industriali e di trazione”;

dal 2006 a tutt'oggi: Responsabile Scientifico del "Competence Center" dell' ECPE – European Center for Power Electronics, con sede presso il Dipartimento di Ingegneria Elettrica e dell'Informazione dell'Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;

dal 2008 al 2015: Membro del Radiation Work Group (RWG) coordinato dall'Agenzia Sapziale Europea (ESA) che sta lavorando allo sviluppo di uno Standard Europeo per i test da radiazione dei dispositivi elettronici per le applicazioni spaziali;

2010: General Chairman del “21st European Symposium Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis – ESREF2010” svoltosi a Gaeta tra il 4 e l’ 8 ottobre 2010;

2006: General Chairman del “4th International Conference on Integrated Power Systems” tenutosi a Napoli tra il 7 e il 9 giugno 2006;

2007/2008: Direttore del Master Universitario di 1° livello in “Management dei Sistemi Innovativi Integrati nella Produzione Industriale” dell’Università degli Studi di Cassino con il patrocinio e la partnership di: Consorzio Universitario di Lanciano, Fondazione Sviluppo e Competenze, Consorzio CISI, FIAT Group Automobiles SpA - Stabilimento di Cassino, HONDA Italia Industriale SpA, Micron Technology Italia SpA, SEVEL SpA;

dal 2009 a 2014: Direttore della Scuola di Dottorato in Ingegneria dell’Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;

dal 2013 al 2016: Direttore della Scuola Dottorale di Ateneo dell’Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;

dal 2014 al 2015: Delegato del Rettore alla Valorizzazione della Ricerca e al Benchmarking di Ateneo dell’Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale;

dal 2001 al 2008: Coordinatore del corso di Dottorato di Ricerca in Ingegneria Elettrica e dell’Informazione della Scuola di Dottorato in Ingegneria dell’Università degli Studi di Cassino.


Responsabile scientifico di vari progetti di ricerca svolti in collaborazione con:
ANSALDOBREDA SpA, ECPE – European Center for Power Electronics, ST-Microelectronics, Fairchild, aziende leader nei settori dell’Elettronica di Potenza e dei Dispositivi di Potenza a Semiconduttori con particolare riguardo alla loro affidabilità, robustezza e tolleranza ai raggi cosmici per applicazioni ad alta affidabilità sia terrestri che spaziali.

Docente di vari corsi di Elettronica presso l'Università degli Studi di Cassino e del Lazio Meridionale.

L’attività di ricerca riguarda:
Modellistica e simulazione ad elementi finiti di dispositivi di potenza (DIODI, MOSFET IGBT) sia in condizioni di funzionamento normali sia in condizioni di elevati stress (corto circuito o commutazioni un-clamped su carico induttivo);
Caratterizzazione sperimentale anche non-distruttiva dei dispositivi di potenza nel loro funzionamento ai limiti delle loro aree di sicurezza;
Individuazione dei meccanismi di guasto che limitano la robustezza dei dispositivi di potenza;
Studio degli effetti dei raggi cosmici sui dispositivi di potenza mediante simulazione ad elementi finiti e mediante tecniche di caratterizzazione innovative;
Progettazione dei dispositivi di potenza finalizzata al miglioramento della tolleranza ai raggi cosmici sia per applicazioni terrestri che spaziali;
Progettazione, realizzazione e testing di convertitori elettronici, anche di elevata potenza, per applicazioni di trazione elettrica e per la conversione statica dell'energia elettrica.

1. S.Bellone, A.Caruso, P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Cocorullo, G.Ferla, S.Musumeci, "High voltage bipolar mode JFET with normally-Off characteristics," IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-6, pp. 522-524, 1985.
2. A.Caruso, P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Ferla, G.Musumeci, "Performance Analysis of a Bipolar Mode FET (BMFET) with normally Off characteristics," IEEE Trans. Power Electronics, Vol. P-3, pp. 157-163, 1988.
3. G.Vitale, G.Busatto, "The turn-off transient of the Bipolar Mode Field Effect Transistor," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-35, pp. 1676-1682, No. 10, 1988.
4. P.Spirito, S.Bellone, C.Ransom, G.Busatto, G.Cocorullo, "Recombination lifetime profiling in very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI," IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-10, pp. 23-24, No.1, 1989.
5. S.Bellone, G.Busatto, C.M.Ransom, "Recombination measurement on N-type heavily-doped layer in high/low silicon junctions," IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-38, pp. 532-537, No.1, 1991.
6. G.Busatto, "Physical Modeling of Bipolar Mode JFET for CAE/CADSimulation," IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. PE-8, n.4, pp.368-375, 1993.
7. G.Busatto, L.Fratelli, "BMFET vs BJT in reverse bias safe operations" Microelectronics Journal, Vol. 27, no. 2-3, pp.243-250, 1996.
8. G.Busatto, L.Fratelli, A.Patti, "Advanced RBSOA Analysis for Advanced Power BJT's" Microelectronics Reliability, Vol.36, no.7-8, pp. 1077-1093, 1996.
9. G.Busatto, A.Conte, A.Patti, "Effects of metallization lay-out on turn-off failure of modern power bipolar transistors," Microelectronics Reliability, Vol.36, no.11-12, pp. 1867-1870, 1996.
10. G.Busatto, G.V.Persiano, A.Strollo, P.Spirito "Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode," Microelectronics Reliability, Vol.37, no.10-11, pp. 1507-1510, 1997.
11. G.Busatto, G.V.Persiano, F.Iannuzzo, “Experimental and numerical investigation on MOSFET’s failure during reverse recovery of its internal diode,” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED-46, No.6, pp. 1268-1273, 1999.
12. F.Iannuzzo, G.Busatto, “A lumped charge model for GTOs suitable for circuit simulation” Microelectronics Journal Volume 30, no. 6, pp. 543-550, 1999.
13. L. Fratelli, B. Cascone, G. Giannini, G. Busatto, “Long term Reliability Testing of HV-IGBT modules in worst case traction operation”, Microelectronics Reliability, Vol.39, pp. 1137-1142, 1999.
14. G.P.Pepe, A.Ruosi, M.Valentino, G.Peluso, G.Busatto, D.Migliore “A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules” Non-Linear Electromagnetic System, P.Di Barba and A.Savini (Eds.), IOS Press, pp. 245-248, 2000
15. F.Iannuzzo, G.V.Persiano, G.Busatto, “Measurement of the BJT activation current during the reverse recovery of power MOSFET’s drain-source diode” IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 48, n. 2, pp. 391-393, febbraio 2001.
16. G.Busatto, F.Iannuzzo, F.Velardi, J.Wyss “Non-Destructive Tester for Single Event Burnout of Power Diodes” Microelectronics Reliability, Vol. 41, n. 9-10, pp. 1725-1729, settembre-ottobre 2001.
17. G.Busatto, L.Fratelli, G.F.Vitale, “Reverse bias instabilities in bipolar power transistor with cellular layout” IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 48, n. 11, pp. 2544-2550, novembre 2001.
18. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Kaminksy, “The Reliability of New Generation Power MOSFETs in Radiation Environment,” Microelectronics Reliability, Vol. 42, pp.1629-1634, settembre-ottobre 2002.
19. G. Busatto, B. Cascone, L. Fratelli, M. Balsamo, F. Iannuzzo, F. Velardi “Non_Destructive High Temperature Characterisation of High-Voltage IGBTs” Microelectronics Reliability, Vol. 42, pp.1635-1640, settembre-ottobre 2002.
20. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Candelori, “Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact,” Microelectronics Reliability, Vol. 43/4, pp.549-555, aprile 2003.
21. G. Busatto, R. La Capruccia, F. Iannuzzo, F. Velardi, R. Roncella “MAGFET Based Current Sensing for Power Integrated Circuit,” Microelectronics Reliability, Vol. 43/4, pp.577-583, Aprile 2003.
22. G. Busatto, F. Iannuzzo, F. Velardi, M.Valentino, G.P.Pepe “Non-Destructive Detection of Current Distribution in Power Modules based on Pulsed Magnetic Measurement,” Microelectronics Reliability, Vol. 43/7-10, pp.1907-1912, ottobre 2003.
23. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Sanseverino, A. Candelori,G. Currò, A. Cascio, F. Frisina “Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment,” Microelectronics Reliability, Vol. 43/7-10, pp.1847-1851, ottobre 2003.
24. F. Iannuzzo, G. Busatto, “Physical CAD Model for High-Voltage IGBTs Based on Lumped-Charge Approach” IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 19, No. 4, pp.885-893, Luglio 2004.
25. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, A. Sanseverino, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina, “The Role of the Parasitic BJT Parameters on the Reliability of New Generation Power MOSFET during Heavy Ion Exposure” Microelectronics Reliability, Vol. 44, No. 9-11, pp. 1407-1411, settembre - novembre 2004.
26. G. Busatto, L. Fratelli, C. Abbate, R. Manzo, “Analysis and Optimisation through Innovative Driving Strategies of High Power IGBT Performances/EMI Reduction Trade-off for Converter Systems in Railway Applications” Microelectronics Reliability, Vol. 44, No. 9-11, pp. 1443-1448, settembre - novembre 2004.
27. G. Busatto, A. Porzio, F. Velardi, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Currò: “Experimental and Numerical investigation about SEB/SEGR of Power MOSFET” Microelectronics Reliability, Vol.45, No. 10-14, pp. 1711-1716, ottobre 2005.
28. F. Iannuzzo, G. Busatto and C. Abbate, "Investigation of MOSFET failure in soft-switching conditions", Microelectronics Reliability, Vol. 46, Issues 9-11, pp. 1790-1794, settembre - novembre 2006.
29. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli and F. Iannuzzo, "The high frequency behaviour of high voltage and current IGBT modules", Microelectronics Reliability, Vol. 46, Issues 9-11, pp. 1848-1853, settembre - novembre 2006.
30. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi and G. Currò, "Experimental study of power MOSFET’s gate damage in radiation environment", Microelectronics Reliability, Vol. 46, Issues 9-11, pp. 1854-1857, settembre - novembre 2006.
31. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo, B. Cascone and R. Manzo "The robustness of series-connected high power IGBT modules", Microelectronics Reliability, Vol. 47, Issues 9-11, pp. 1746-1750, settembre - novembre 2007.
32. G. Busatto, C. Abbate, B. Abbate and F. Iannuzzo, “IGBT Modules Robustness During Turn-Off Commutation”, Microelectronics Reliability, Vol. 48, Issues 8-9, pp. 1435 - 1439, agosto - settembre 2008.
33. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino and F. Velardi, “Experimental Evidence of “Latent Gate Oxide Damages” in Medium Voltage Power MOSFET as a Result of Heavy Ions Exposure”, Microelectronics Reliability, Vol. 48, Issues 8-9, pp. 1306-1309, agosto - settembre 2008.
34. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino and F. Velardi, “Experimental Study about Gate Oxide Damages in Patterned MOS Capacitor Irradiated with Heavy Ions”, Microelectronics Reliability, Vol. 49, Issues 9-11, pp. 1033-1037, settembre-novembre 2009.
35. G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo and P. Cristofaro, “Instable Mechanisms During Unclamped Operation of High Power IGBT Modules”, Microelectronics Reliability, Vol. 49, Issues 9-11, pp. 1363-1369, settembre-novembre 2009.
36. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “Heavy-Ion Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFETs”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 56, No. 6, Part 2, pp. 3573 - 3581, December 2009.
37. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “High-Voltage, High-Performance Switch Using Series-Connected IGBTs” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 25; p. 2450-2459, September 2010.
ISSN: 0885-8993, doi: 10.1109/TPEL.2010.2049272
38. C. Ronsisvalle, V. Enea, C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, “Perspective Performances of MOS-Gated GTO in High-Power Applications”, IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED- 57, p. 2339-2343, September 2010.
ISSN: 0018-9383, doi: 10.1109/TED.2010.2055315
39. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “Experimental study and numerical investigation on the formation of single event gate damages induced on medium voltage power MOSFET”, Microelectronics Reliability, Vol. 50, Issues 9-11, pp. 1842-1847, September-November 2010.
ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2010.07.039
40. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “IGBT RBSOA non-destructive testing methods: Analysis and discussion”, Microelectronics Reliability, Vol. 50, Issues 9-11, pp. 1731-1737, September-November 2010.
ISSN: 0026-2714, doi: 10.1016/j.microrel.2010.07.050
41. P. Tenti, G. Spiazzi, S. Buso, M. Riva, P. Maranesi, F. Belloni, P. Cova, R. Menozzi, N. Delmonte, M. Bernardoni, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, F. Velardi, A. Lanza, M. Citterio, C. Meroni, “Power supply distribution system for calorimeters at the LHC beyond the nominal luminosity”, Journal of Instrumentation, 2011, March 2011, pp.1- 16.
ISSN: 1748-0221, doi: 10.1088/1748-0221/6/06/P06005, WOS: 000294492600005
42. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “Operation of SiC normally-off JFET at the edges of its safe operating area”, Microelectronics Reliability, Vol. 51, Issues 9-11, pp. 1767- 1772, September-November 2011. ISSN:0026-2714
43. G. Busatto, D. Bisello, G. Currò, P. Giubilato, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, D. Pantano, A. Sanseverino, L. Silvestrin, M. Tessaro, F. Velardi, J. Wyss, “A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs”, Microelectronics Reliability, Vol. 51, Issues 9-11, pp. 1995- 1998, September-November 2011.
ISSN:0026-2714
44. L. Silvestrin, D. Bisello, G. Busatto, P. Giubilato, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, D. Pantano, A. Sanseverino, M. Tessaro, F. Velardi, J. Wyss (2012), “A time-resolved IBICC experiment using the IEEM of the SIRAD facility”. Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B, Beam Interactions with Materials and Atoms, vol. 273, Febbraio 2012, p. 234-236, ISSN: 0168-583X, doi: 10.1016/j.nimb.2011.07.083
45. M. Alderighi, M. Citterio, M. Riva, S. Latorre, Costabeber, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, P. Tenti, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, M. Bernardoni, R. Menozzi, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca, F. Velardi, “Power converters for future LHC experiments”, Journal of Instrumentation, Vol. 7, March 2012, pp. 1-15. ISSN: 1748-0221, C03012, 2012. ISSN: 1748-0221. doi: 10.1088/1748-0221/7/03/C03012. Scopus: 2-s2.084858791721, WOS:000304015300012
46. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, “Behavior of power MOSFETs during heavy ions irradiation performed after γ-rays exposure”, Microelectronics Reliability, Vol. 52, Issues 9–10, Pages 2363-2367, September–October 2012.
ISSN: 0026-2714. doi: 10.1016/j.microrel.2012.06.153, WOS:000309785400138
47. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “Unclamped repetitive stress on 1200 V normally-off SiC JFETs”, Microelectronics Reliability, Volume 52, Issues 9–10, Pages 2420-2425, September–October 2012.
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.097
48. S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N. Delmonte, F. Iannuzzo, A. Lanza, M. Riva, A. Sanseverino, G. Spiazzi “Reliability oriented design of power supplies for high energy physics applications”, Microelectronics Reliability, Vol. 52, Issues 9-10, pp. 2465–2470, September-October 2012.
ISSN: 0026-2714. doi: 10.1016/j.microrel.2012.06.088, Scopus: 2-s2.0-84866734239, WOS:0003097854001119
49. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, C. Ronsisvalle, A. Sanseverino, F. Velardi, "Scattering parameter approach applied to the stability analysis of power IGBTs in short circuit, Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9–11, September–November 2013, Pages 1707-1712,ISSN 0026-2714,
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.07.128.
50. C. Abbate, F. Iannuzzo, G. Busatto, "Thermal instability during short circuit of normally-off AlGaN/GaN HEMTs," Microelectronics Reliability, Volume 53, Issues 9–11, September–November 2013, Pages 1481-1485, ISSN 0026-2714,
http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2013.07.119.
51. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, "Single-Event Effects in Power MOSFETs During Heavy Ion Irradiations Performed After Gamma-Ray Degradation," IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 60, Issue. 5, Part 3, Ottobre 2013, Pages 3793- 3801. http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2013.2278038; ISSN :0018-9499
52. C. Abbate, M. Alderighi, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N. Delmonte, V. De Luca, S. Fiore, S. Gerardin, E. Ghisolfi, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, G. Meneghesso, A. Paccagnella, F. Rampazzo, M. Riva, A. Sanseverino, R. Silvestri, G. Spiazzi, F. Velardi; and E. Zanoni, "Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades", Journal of Instrumentation, Vol. 9, February 2014, pages: C0217,
http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/9/02/C02017; C02017, 2014. ISSN: 1748-0221.
53. F. Iannuzzo, C. Abbate, G. Busatto, "Instabilities in Silicon Power Devices: A Review of Failure Mechanisms in Modern Power Devices," IEEE Industrial Electronics Magazine, vol.8, no.3, pp.28,39, Sept. 2014, doi: 10.1109/MIE.2014.2305758
54. C. Abbate, G. Busatto, P. Cova, N. Delmonte, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, "Thermal damage in SiC Schottky diodes induced by SE heavy ions," Microelectronics Reliability, Volume 54, Issues 9–10, September–October 2014, Pages 2200–2206, doi:10.1016/j.microrel.2014.07.081
55. C. Abbate, G. Busatto, P. Cova, N. Delmonte, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, "Analysis of heavy ion irradiation induced thermal damage in SiC Schottky diodes," IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 62, Issue 1, Febbraio 2015, Pages 202-209. http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2014.2387014; ISSN :0018-9499
56. C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, F. Velardi and C. Ronsisvalle, "Analysis of Low- and High-Frequency Oscillations in IGBTs During Turn-ON Short Circuit," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 62, no. 9, pp. 2952-2958, Sept. 2015.
doi: 10.1109/TED.2015.2459135
57. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, A. Sanseverino, L. Silvestrin,. F. Velardi, “Experimental study of Single Event Effects induced by heavy ion irradiation in enhancement mode GaN power HEMT,” Microelectronics Reliability, Vol. 55 (9-10), September–October 2015, Pages 1496-1500. Doi:10.1016/j.microrel.2015.06.139
58. C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, F. Velardi, S. Iavarone and C. Ronsisvalle, "Measurement of IGBT High-Frequency Input Impedance in Short Circuit," in IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 32, no. 1, pp. 584-592, Jan. 2017.
doi: 10.1109/TPEL.2016.2532332
b. ARTICOLI SU ATTI DI CONGRESSI INTERNAZIONALI
59. S.Bellone, A.Caruso, P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Cocorullo, G.Ferla, S.Musumeci, "Realization of a normally-off power bipolar mode JFET," Proc. 1985 IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS 85, pp. 889-893, ottobre 1985, Toronto, CANADA.
60. A.Caruso, P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G. Ferla, "Performance analysis of a Bipolar Mode JFET (BMFET) with normally-off characteristics," Proc. 1986 IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC 86, pp. 104-111, Giugno 1986, Vancouver, Canada.
61. P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Ferla, S.Musumeci, "Switching characteristics of a high voltage BMFET," Proc. 1986 International Conference on Solid State Devices and Materials, SSDM 86, pp. 93-96, Agosto 1986, Tokyo, Japan.
62. A.Caruso, P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Cocorullo, G.Ferla, "Design criteria for a Bipolar Mode JFET (BMFET) with high blocking voltages," Proc. 1986 IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS 86, pp. 350-355, Ottobre 1986, Denver, USA.
63. P.Spirito, G.Vitale, G.Busatto, G.Ferla, S.Musumeci, "Design of a 1600 V power Bipolar Mode FET," Proc. 17th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 87, pp. 61-64, Settembre 1987, Bologna, Italia,
64. P.Spirito, S.Bellone, C.Ransom, G.Busatto, G.Cocorullo, "Electrical characterization of very thin Si epitaxial layers used for bipolar VLSI," Proc. 4th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, IWPSD 87, pp. 48-57, Dicembre 1987, Madras, India.
65. C.Ransom, S.Bellone, P.Spirito, G.Busatto, G.Cocorullo, "Electrical characterization of very thin epilaxial layers," Proc. 1st International Symposium on Advanced Materials For ULSI -Electrochemical Society, Vol. 88-19, pp. 88-94, 1988, Boston, USA.
66. G.Vitale, G.Busatto, G.Ferla, "The switching behavior of the Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET)," Proc. 1988 IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS 88, pp. 600-605, ottobre 1988, Pittsburgh, USA.
67. P.Spirito, S.Bellone, C.Ransom, G.Busatto, G.Cocorullo, "A new test structure for in-depth lifetime profiling of thin Si epitaxial layers," Proc. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 89, pp. 175-179, marzo 1989, Edimburgo, Scozia.
68. S.Bellone, G.Busatto, C.M.Ransom, "Electrical characterization of minority carrier transport parameters in N type heavily doped silicon," Proc. IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 89, pp. 157-162, marzo 1989, Edimburgo, Scozia.
69. G.Busatto, G.F.Vitale, "Physical modelling of Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET) for circuit simulation," Proc. 19th European Solid State Device Research Conference, ESSDERC 89, pp. 427¬430, Settembre 1989, Berlin, FDR.
70. G.Busatto, G.F.Vitale, "A Circuit model of Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET)," Proc. 1989 IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS 89, pp. 1205-1210, ottobre 1989, San Diego, CA, USA.
71. G.Busatto, G.Ferla, P.G.Fallica, S.Musumeci, "Switching performances of enhanced gain Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET)," Proc. 1990 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, ISPSDM 90, pp. 270-276, aprile 1990, Tokyo, Japan; pubblished also as: Proc. 1990 International Power Electronics Conference, IPEC 90, pp. 1188-1194, aprile 1990, Tokyo, Japan.
72. G.Busatto, G.F.Vitale, G.Ferla, A.Galluzzo, M.Melito, "Comparative analysis of power bipolar devices," Proc. 21st IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC 90, pp. 147-153, giugno 1990, San Antonio, TX, USA.
73. G.Busatto, "Modelling the saturation region of power bipolar mode JFET for SPICE simulation," Proc. 1991 IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS 91, pp. 1456-1461, ottobre 1991, Dearburn, Ms, USA.
74. G.Busatto, D.L.Blackburn, D.W.Berning, "Experimental study of reverse-bias failure mechanisms in Bipolar Mode JFET (BMFET)," Proc. 24th IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC '93, pp. 482-488, giugno 1993, Seattle, WA, USA.
75. L.Fratelli, G.Busatto, P.Spirito, G.F.Vitale, "Analysis of second breakdown limits in RBSOA of bipolar transistor," Proc. 5th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '93, Vol.2, pp.101-106, settembre 1993, Brighton, UK.
76. G.Busatto, L.Fratelli, "The second breakdown in bipolar power devices: a comparison between BJT and BMFET," Proc. 2nd International Seminar on Power Semiconductors, ISPS '94, pp.91-96, settembre 1994, Praga, Repubblica Ceca.
77. G.Busatto, G.F.Vitale, L.Fratelli, "Instabilities in modern bipolar transistors during the turn-off under inductive loads," Proc. 20th International Conference on Microelectronics, MIEL '95, Vol. 1, pp.391-396, settembre 1995, Nis, Serbia.
78. G.Busatto, A.M.Luciano, L.Fratelli, "BMFET switched, class E resonant lamp ballast," Proc. 6th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '95, Vol.2, pp.634-639, settembre 1995, Siviglia, Spagna.
79. G.F.Vitale, G.Busatto, L.Fratelli, "Transit time oscillations during inductive turn-off of power BJT," Proc. 6th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '95, Vol.1, pp.643-648, settembre 1995, Siviglia, Spagna.
80. L.Fratelli, G.Busatto, P.Spirito, G.F.Vitale, "Instabilities and high frequency oscillations in modern power bipolar devices," Proc. 9th Symposium on Quality and Reliability in Electronics, RELECTRONIC '95, pp.393-398, ottobre 1995, Budapest, Ungheria.
81. G.Busatto, O. Fioretto, A.Patti, "Non-destructive testing of power MOSFET's failures during reverse recovery of drain-source diode," Proc. 27th IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC '96, pp. 593-599, giugno 1996, Baveno, Italia.
82. G.Busatto, O. Fioretto, A.Patti, "Second breakdown of power MOSFET's during reverse recovery of internal diode," Proc. 3rd International Seminar on Power Semiconductors, ISPS '96, pp.137-143, settembre 1996, Praga, Repubblica Ceca.
83. G.Busatto, A.Conte, A.Patti, "Effects of metallization lay-out on turn-off failure of modern power bipolar transistors," Proc. 7th Europ. Symp. on Reliability of Electr. Dev., Failure Physics and Analysis, ESREF '96, ottobre 1996, Enschede, Olanda.
84. G.Busatto, A.M.Luciano, B.Cascone, (lavoro invitato) "Low On-resistance and high blocking voltage switch based on BMFET," Proc. 10th Symposium of Static Induction Devices, SSID '97, pp.45-50, giugno 1997, Sendai, Giappone.
85. G.Busatto, L.Fratelli, G.Giannini, A.Polverino "PSPICE model for high voltage IGBTs," Proc. 7th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '97, Vol.4, pp.145-150, settembre 1997, Trondheim, Norvegia.
86. G.Busatto, G.V.Persiano, A.Strollo, P.Spirito "Activation of parasitic bipolar transistor during reverse recovery of MOSFET’s intrinsic diode," Proc. 8th Europ. Symp. on Reliability of Electr. Dev., Failure Physics and Analysis, ESREF '97, ottobre 1997, Arcachon, Francia.
87. G.Busatto, F.Iannuzzo, L.Fratelli, “PSPICE model for GTOs” Proc. SPEEDAM’98, pp. P2,5-10, giugno 1998, Sorrento, Italia.
88. F.Iannuzzo, G.Busatto, “A circuit model for GTOs based on lumped charge approach,” Proc. 4th International Seminar on Power Semiconductors, ISPS '98, pp. 83-88, settembre 1998, Praga, Repubblica Ceca.
89. G.Busatto, B.Cascone, L.Fratelli, A.M.Luciano, “Series connection of IGBTs in hard-switching applications,” IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS’98, ottobre 1998, St. Louis, Missouri, USA.
90. G.P.Pepe, G.Busatto, A.Ruosi, M.Valentino, G.Peluso “A non-destructive technique for magnetic imaging of current distributions inside power modules” Proc. 9th International Symposium on Non-linear Electromagnetic System, ISEM’99, p.93, maggio 1999, Pavia, Italia
91. G.V.Persiano, F.Iannuzzo, G.Busatto, P.Spirito, “Numerical Analysis of the Activation of the Parasitic BJT during the Reverse Recovery of Power MOSFET Internal Diode” Proc. 8th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '99
92. L.Fratelli, G.Giannini, B.Cascone, G.Busatto, “Reliability tests of power IGBTs for railway traction” Proc. 8th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE '99
93. G.Busatto, F.Iannuzzo, J.Wyss, D.Pantano, D.Bisello, “Effects of heavy ion impact on power diodes” Proc. RADECS'99 - 5th Radiation and its effects on components and Systems, pp. F.35-37, 1999
94. S.Daliento, A.Sanseverino, P.Spirito, G.Busatto, J.Wyss, “Experimental measurement of recombination lifetime in proton irradiated power devices” Proc. 2000 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, ISPSD’2000, maggio 2000, Tolosa, Francia
95. B.Cascone, L.Fratelli, G.Busatto, G.Giannini, “IGBT modules reliability in traction: experimental results on AWCO facility” Proc. SPEEDAM 2000, pp. A3,7-11, giugno 2000, Ischia, Italia.
96. F.Iannuzzo, G.Busatto, “A general methodology for circuit simulation of high-voltage power devices” Proc. SPEEDAM 2000, pp. A3,25-31, giugno 2000, Ischia, Italia.
97. G.P.Pepe, A.Ruosi, M.Valentino, G.Busatto, “Magnetic field imaging of current distributions in IGBT power modules” Proc. Sixth International Workshop on Electromagnetic Nondestructive Evaluation, ENDE2000, pp.61-62, giugno 2000, Budapest, Ungheria.
98. G.Busatto, G.P.Pepe, A.Ruosi, M.Valentino, “Non-destructive detection of current in power modules by means of magnetic measurements” Proc. IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS’2000, ottobre 2000, Roma, Italia.
99. G.Busatto, F.Iannuzzo, P.Grimaldi, “Lumped Charge PSPICE Model for High–Voltage IGBTs” Proc. IEEE Industry Applications Society Meeting, IAS’2000, ottobre 2000, Roma, Italia.
100. G.Busatto, R. Di Stefano, M. Scarano, “An Integrated milli-metric CellActuator: Design and Test” Proc. 9th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2001, pp. P.1 – P.7, Graz, Austria, Ottobre 2001.
101. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Sanseverino, “An Experimental Classification of Drain and Gate Current Pulses in Low-Voltage Power MOSFETs During Radiation Exposure,” Proc. of Radiation Effects on Components and Systems Conference, pp. 187-190, Padova, 19-20 settembre 2002.
102. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Candelori, “Experimental Study of Charge Generation Mechanisms in Power MOSFETs due to Energetic Particle Impact,” Proc. of International Seminar on Power Semiconductors, pp. 75-80, Praga 4-6 settembre 2002.
103. G. Busatto, R. La Capruccia, F. Iannuzzo, F. Velardi, R. Roncella, “An On-Chip Non Invasive Integrated Current Sensing” Proc. of International Seminar on Power Semiconductors, pp. 135-142, Praga 4-6 settembre 2002.
104. R. Manzo, G. Busatto, L. Fratelli, G. Giannini, R. Nisci, C. Abbate, “Optimization of High-Voltage IGBT Modules Turn-on on Inductive Load” Proc. 10th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2003, Settembre 2003.
105. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss, A. Sanseverino, A. Candelori, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina, A. Cavagnoli, “Effect of the Epitaxial Layer Features on the Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET during Heavy Ion Exposure” Proc. RADECS 2003 - 8th Radiation and its effects on components and Systems, Settembre 2003.
106. G. Busatto, C. Abbate, B. Cascone, R. Manzo, L. Fratelli, G. Giannini, F. Iannuzzo, F. Velardi; “Characterisation of high-voltage IGBT modules at high temperature and high currents,” The Fifth International Conference on Power Electronics and Drive Systems, 2003. PEDS 2003. Volume: 2 , pp. 1391 – 1396, 17-20 November 2003.
107. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J. Wyss , A. Sanseverino, A. Candelori, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina, “Experimental Study on the Reliability of Low Blocking Voltage Power VDMOSFET During Heavy Ion Exposure”, Proc. of SIRAD Workshop, pp. 37-38, aprile 2004, Legnaro (Padova) Italia.
108. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, A. Sanseverino, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina, “Cosmic Ray Effects on Power MOSFET” Proc. SPEEDAM’2004, pp. 643-647, Giugno 2004, CAPRI, Italia.
109. C. Abbate, R. Manzo, G. Busatto, F. Iannuzzo, L. Fratelli, “Innovative Driving Strategies for New Generation High Power IGBT Modules” Proc. SPEEDAM’2004, pp. 699-703, Giugno 2004, CAPRI, Italia.
110. C. Abbate, G. Busatto, R. Manzo, L. Fratelli, B. Cascone, G. Giannini, F.Iannuzzo, “Experimental Optimisation of high power IGBT Modules Performances Working at the Edges of their Safe Operating Area” Proc. 35th IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC 2004, pp. 2588-2592, Giugno, 2004, Aachen, Germania.
111. G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo, L. Fratelli, B. Cascone, G. Giannini: “EMI Characterisation of high power IGBT modules For Traction Application” Proc. 36th IEEE Power Electronics Specialist Conference, PESC 2005, pp. 2180-2186, 12-16 Giugno 2005, Recife - Brazil.
112. G. Busatto, C. Abbate, L. Fratelli, F. Iannuzzo, G. Giannini, B. Cascone: “EMI Analysis in High power Converters for Traction Application” Proc. 11th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2005, 11-14 settembre 2005, Dresden, Germania, ISBN: 90-75815-08-5.
113. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo, B. Cascone, G. Giannini: “Series Connection of High Power IGBT modules for traction applications” Proc. 11th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2005, 11-14 settembre 2005, Dresden, Germania, ISBN: 90-75815-08-5.
114. A. Porzio, G. Busatto, F. Velardi, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Currò, “Experimental and 3D Simulation Study on the Role of the Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power MOSFET” Proc. 8th Radiation and its effects on components and Systems, RADECS 2005 - Settembre 2005, Cap d’Agde – France.
115. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo: “The Role of IGBT Module in Electromagnetic Noise Emission of Power Converters” Proc. 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2005, 10 - 14 October 2005, Bordeaux – France.
116. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo: “Experimental - Simulative procedure to Predict the EMI Generated in High Power Converters based on IGBT modules” Proc. 4th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2006, 7 - 9 June, 2006, pp. 117-122, Naples – Italy.
117. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi: “Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment” Proc. 8th Radiation and its effects on components and Systems, RADECS 2006 - Settembre 2006, Athens, Greece.
118. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, L. Fratelli: “Experimental Characterisation of High Efficiency Resonant Gate Driver Circuit” Proc. 12th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2007, 2-5 settembre 2007, Aalborg, Danimarca, ISBN : 9789075815108.
119. G. Busatto, C.Abbate, B. Abbate, F. Iannuzzo, “Non-Destructive Experimental Investigation about RBSOA in High Power IGBT Modules” Proc. 5th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2008, 11 – 13 March, 2008, pp. 327-331, Nuremberg – Germany. (ISBN 978-3-8007-3089-6, ISSN 0341-3934)
120. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “Heavy Ions Induced Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET” Proc. NSREC 2008, 14-18 luglio 2008, Tucson, Az, USA.
121. A. Porzio, F. Velardi, G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Currò, “A 3-D Simulation Study about Single Event Gate Damage in Medium Voltage Power MOSFET” Proc. 8th European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems, RADECS 2008 – 10-12 Settembre 2008, Jyvaskyla, Finlandia.
122. E. La Marra, F. Iannuzzo, M. Di Zenzo, V. Micali, G. Valeri, D. Bianco, G. Busatto, “Experimental Analysis of Energy Consumption by MobileDDR Memory for Mobile Applications”, Proc. of the IEEE International Symposium on Industrial Electronics, ISIE’08, June 30-July 2, 2008, Cambridge, UK.
123. C. Ronsisvalle, V. Enea, C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, “Performances of MOS-Gated GTO in High Voltage Power Applications”, Proc. 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2009, 8-10 Settembre 2009, Barcellona, Spagna (ISBN: 97890758115009 / IEEE Catalog Number CFP09850 – CDR).
124. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “Interpretation of IGBT modules Failure Mechanisms during Turn-Off”, Proc. 13th European Conference on Power Electronics and Applications, EPE 2009, 8-10 Settembre 2009, Barcellona, Spagna (ISBN: 97890758115009 / IEEE Catalog Number CFP09850 – CDR).
125. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “The role of the charge generated during heavy ion irradiation in the gate damage of medium voltage power MOSFET”, in corso di pubblicazione su Proc. 9th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems, RADECS 2009, 14 – 18 settembre 2009, Bruge, Belgio. Pages: 102 - 105. Digital Object Identifier: 10.1109/RADECS.2009.5994562
126. G. Busatto, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “Induced damages in power MOSFETs after heavy ions irradiation”, Proc. 11th Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics, Detectors and Medical Physics Applications, ICATPP’09, Villa Olmo, Como (Italy), 5-9 October 2009.
127. C. Ronsisvalle, V. Enea, C.Abbate, G.Busatto, A.Sanseverino, “MOS-Gated GTO: a new functionally integrated device suitable for high voltage power applications”, Proc. 6th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2010, 16 – 18 March, 2010, pp. 137-142, Nuremberg – Germany. (ISBN 978-3-8007-3212-8, ISSN 0341-3934).
128. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, C. Pagliarone, G.M. Piacentino, F. Bedeschi, “Comparison among eligible topologies for MARX klystron modulators,” Proc. 1st International Particle Accelerator Conference, IPAC’10, pp. 3284-3286, 23-28 May, 2010, Kyoto – Japan. (ISBN 978-92-9083-352-9).
129. C. Ronsisvalle, V. Enea, G. Belverde, C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, “Design Considerations for a 1.2kV MOS-Gated GTO: a Monolithic Functionally Integrated Emitter Switched GTO”, Proc. 10th International Seminar on Power Semiconductors, ISPS '10, pp.113-116, 1-3 September 2010, Prague, Czech Republic. (ISBN 978-80-01-04602-9)
130. C. Ronsisvalle, V. Enea, C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G.A.P. Cirrone; , "Effects of back-side He irradiation on MOS-GTO performances," IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2011, pp.144-147, San Diego, CA, USA, 23-26 May 2011
doi: 10.1109/ISPSD.2011.5890811
131. M. Citterio, M. Alderighi, S. Latorre, M. Riva, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, M. Bernardoni, R. Menozzi, A. Costabeber, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, P. Tenti, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca: “Energy distribution in hostile environment: power converters and devices”, presented at the 13th International Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics and Detectors for Physics Applications (ICATPP 2011), Villa Olmo, Como (Italy), Oct. 3-7, 2011
132. M. Alderighi, M. Citterio, S. Latorre, M. Riva, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, M. Bernardoni, R. Menozzi, A. Costabeber, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, P. Tenti, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca: “Power distribution architecture for high energy physics hostile environment”, presented at the 13th International Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics and Detectors for Physics Applications (ICATPP 2011), pp. 890-894, Villa Olmo, Como (Italy), Oct. 3-7, 2011. ISBN: 978-981-4405-06-5
133. M. Alderighi, M. Citterio, M. Riva, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, R. Menozzi, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca: “Power Distribution for the LAr calorimeters for the HiLHC”, presented at SLAr Electronics Meeting at LAr week, Geneva (CH), Dec. 6, 2011
134. M. Alderighi, M. Citterio, S. Latorre, M. Riva, M. Bernardoni, P. Cova, N. Delmonte, A. Lanza, R. Menozzi, A. Costabeber, A. Paccagnella, P. Tenti, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca: “Power Converters for Future LHC Experiments”, presented at TWEPP 2011 - Topical Workshop on Electronics for Particle Physics, Vienna (Austria), Sept. 26 - 30, 2011
135. A. Lanza, M. Alderighi, M. Citterio, M. Riva, P. Cova, N. Delmonte, R. Menozzi, A. Paccagnella, F. Sichirollo, G. Spiazzi, M. Stellini, S. Baccaro, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, G. Busatto, V. De Luca: “The Apollo project: LV Power Supplies for the Next High Energy Physics Experiments”, Workshop on Reliable Electronics For Radiation Environment, Milano (Italy), Oct. 19, 2011
136. G. Busatto, V. De Luca, F. Iannuzzo, A. Sanseverno, F. Velardi, “Single Event Effects in Power MOSFETs during Heavy Ions Irradiations performed after -Ray degradation”, presented at NSREC 2012 - IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Miami (USA), July 16 - 20, 2012
137. C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, F. Velardi, C. Ronsisvalle, H. Fisher, K. S. Park "High Frequency Capacitive behavior of field stop trench gate IGBTs operating in Short Circui," Proc. of 28th IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2013, pp.183,188, 17-21 March 2013
doi: 10.1109/APEC.2013.6520205
138. C. Abbate, M. Alderighi, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N. Delmonte, V. De Luca, S. Gerardin, E. Ghisolfi, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, G. Meneghesso, A. Paccagnella, F. Rampazzo, M. Riva, A. Sanseverino, R. Silvestri, G. Spiazzi, F. Velardi, E. Zanoni: “Radiation performance of new semiconductor power devices for the LHC experiment upgrades”, presented at the 11th International Conference on Large Scale Application and Radiation Hardness of Semiconductor Detectors, Florence, Italy, Jul. 3-5, 2013
139. C. Abbate, M. Alderighi, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N. Delmonte, V. De Luca, S. Gerardin, E. Ghisolfi, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, A. Paccagnella, M. Riva, A. Sanseverino, G. Spiazzi, F. Velardi: “Developments on DC/DC converters for the LHC experiment upgrades”, presented at TWEPP 2013 - Topical Workshop on Electronics for Particle Physics, Perugia (Italy), Sep. 23-27, 2013
140. S. Fiore, C. Abbate, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, A. Sanseverino, F. Velardi: “Radiation and magnetic field effects on new semiconductor power devices for HL-LHC experiments”, presented at the 14th International Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics and Detectors for Physics Applications (ICATPP 2013), Villa Olmo, Como (Italy), Sept. 23-27, 2013
141. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, "Single Event Effects Induced by Heavy Ion Irradiation in SiC Power Devices", in corso di pubblicazione su Proc. 13th European Workshop on Radiation Effects on Components and Systems, RADECS 2013, 23 – 27 settembre 2013, Oxford, UK.
142. C. Abbate, S. Baccaro, G. Busatto, M. Citterio, P. Cova, N. Delmonte, V. De Luca, S. Fiore, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Lanza, S. Latorre, M. Lazzaroni, A. Sanseverino, G. Spiazzi, F. Velardi: “Testing Integrated COTS DC/DC Converters in Hostile Environment”, presented at the 4th Common ATLAS CMS Electronics Workshop for LHC Upgrades (ACES 2014), CERN (Switzerland), March 18 - 20, 2014
143. C. Abbate, G. Busatto, P. Cova, N. Delmonte, F. Giuliani, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi: “Numerical simulation of SEB induced by heavy ions in Silicon Carbide Schottky diode", NSREC 2014 - IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Paris (France), July 14 - 18, 2014
144. C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino and C. Ronsisvalle, "Experimental and Numerical Study of Low and High Frequency Oscillations in IGBTs during Short Circuit," PCIM Europe 2014; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nuremberg, Germany, 2014, pp. 1-8.
URL: http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=6841241&isnumber=6841220
d. RELAZIONI INVITATE
145. G. Busatto, G.F. Vitale, L. Fratelli, "Instabilities in modern bipolar transistors during the turn-off under inductive loads," Proc. 20th International Conference on Microelectronics, MIEL '95, Vol. 1, pp.391-396, settembre 1995, Nis, Serbia.
146. G.Busatto, A.M.Luciano, B.Cascone: "Low On-resistance and high blocking voltage switch based on BMFET," Proc. 10th Symposium of Static Induction Devices, SSID '97, pp.45-50, giugno 1997, Sendai, Giappone.
147. G. Busatto: “Effetti da Evento Singolo nei Dispositivi di Potenza a Semiconduttore” XCI Congresso Nazionale Società Italiana di Fisica, 26 Settembre - 1 Ottobre 2005, Catania, Italy.
148. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, S. Baccaro, "Radiation effects on power semiconductor devices for distributed power systems for electromagnetic calorimeters", Proc. 11th Conference on Astroparticle, Particle, Space Physics, Detectors and Medical Physics Applications, ICATPP’09, Villa Olmo, Como 5-9 October 2009.
149. G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo, “Non Destructive SOA Testing of Power Modules”, Proc. 6th International Conference on Integrated Power Systems, CIPS 2010, 16 – 18 March, 2010, pp. 261-266, Nuremberg – Germany. (ISBN 978-3-8007-3212-8, ISSN 0341-3934).
e. TUTORIAL
150. G. Busatto: “Non destructive diagnosis techniques for power devices under extreme electrical stresses”, presented at ESREF 2012 - 23rd European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Cagliari (Italy), Oct. 1 -5, 2012
151. G. Busatto: "Failure mechanisms and testing of semiconductor power devices operated at the edge of SOA" presented at EPE'13 -ECCE Europe15th European Conference on Power Electronics and Applications, 3-5 September 2013 Lille, France
f. LAVORI SU PUBBLICAZIONI EDITE DA ENTI DI RICERCA
152. F.Velardi, F.Iannuzzo, G.Busatto, J.Wyss, A.Candelori, "Charge generation mechanisms in low-voltage power MOSFETs during radiation exposure", INFN-LNL Annual Report 2002, INFN - LNL (REP) 198/2003, pp. 128-129, 2003, (ISBN 88-7337-004-7).
153. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, A. Sanseverino, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina, A. Candelori: “An original approach to study the charge generation mechanisms in Power MOSFETs during heavy ions exposure”, INFN-LNS Activity Report 2003, pp. 239-242, 2004, (ISSN 1827-1561).
154. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, J.Wyss, A. Sanseverino, A. Candelori, G. Currò, A. Cascio, F. Frisina: “Experimental study on the effect of the gate oxide thickness and the epitaxial layer resistivity on the reliability of low blocking voltage power VDMOSFET during heavy ions exposure” INFN-LNL Annual Report 2003, INFN - LNL (REP) 202/2004, pp. 173-174, 2004, (ISBN 88-7337-004-7).
155. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, A. Cascio, G. Currò, F. Frisina: “Experimental and 3D Simulation Study on the Role of the Parasitic BJT Activation in SEB/SEGR of Power MOSFET” INFN-LNS Activity Report 2004, pp. 229-232, 2005, (ISSN 1827-1561).
156. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, A. Cascio, G. Currò, F. Frisina: “Technology Changes Influence on the Reliability of Medium Voltage Power MOSFET’s in Radiation Environment” INFN-LNS Activity Report 2005, pp. 218-221, 2006, (ISSN 1827-1561).
157. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, A. Cascio, G. Currò, F. Frisina: “A Novel Experimental Set-Up for Detecting Gate Leakage Current Increase During Heavy Ions Exposure of Power MOSFETs” INFN-LNS Activity Report 2006, pp. 215-218, 2007, (ISSN 1827-1561).
158. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio A. Sanseverino, F. Velardi, A. Cascio, G. Currò, F. Frisina, “Latent Damages in Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET” INFN-LNS Activity Report 2007, pp.206-209, 2008, (ISSN 1827-1561).
159. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio A. Sanseverino, F. Velardi, A. Cascio, G. Currò, F. Frisina, “Experimental Study of the Damages Created in the Gate Oxide of Medium Voltage Power MOSFET During Heavy Ions Irradiation”, INFN-LNS Activity Report 2008, pp. , 2009, (ISSN 1827-1561).
160. G. Busatto, D. Bisello, P. Giubilato, F. Iannuzzo, S. Mattiazzo, D. Pantano, A. Sanseverino, L. Silvestrin, M. Tessaro, F. Velardi, J. Wyss, “IBICC Sensitivity Map of a Power MOSFET with the SIRAD IEEM”, INFN-LNL Activity Report n. 234 (2011), pp. 195- 196, 2011, (ISSN:1828-8545).
161. C. Abbate, G. Busatto, G.A.P. Cirrone, V. Enea, F. Iannuzzo, C. Ronsisvalle, A. Sanseverino, “Back-side He irradiation of power devices used as carriers lifetime killing technique for improving their switching characteristics”, INFN-LNS Activity Report 2010, pp. 249-252, 2011, (ISSN 1837-1561).
162. C. Abbate, G. Busatto, A. Cascio, G. Currò, F. Iannuzzo, A. Sanseverino, F. Velardi, S.Mattiazzo, , M.Tessaro, L.Silvestrin, "Single Event Effects Induced by Heavy Ion Irradiation in SiC Power MOSFETs", INFN-LNL Activity Report n. 239 (2013), pp. 80-81, (ISSN 1828-8561 - web version)
g. COMUNICAZIONI A CONGRESSI
163. G.Busatto, G.F.Vitale, "Modello della commutazione del BMFET," Riunione annuale del gruppo CCTE del CNR, isola d'Elba, giugno 1988.
164. G.Busatto, "Modello circuitale del Bipolar Mode Field Effect Transistor (BMFET)," Riunione annuale del gruppo CCTE del CNR, Baveno (TO), giugno 1990.
165. G.Busatto, "Modellistica CAD di dispositivi BMFET," Riunione annuale del gruppo CCTE del CNR, S.Felice Circeo (LT), giugno 1991.
166. F.Iannuzzo, G.Busatto, G.Persiano, “Meccanismi di rottura dei MOSFET di potenza usati come diodo di ricircolo nelle applicazioni a ponte,“ Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Punta Ala, giugno 1998
167. B.Cascone, G.Busatto, A.Luciano, “Connessione in serie di dispositivi di potenza per applicazioni Hard-Switching,” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Punta Ala, giugno 1998
168. F.Iannuzzo, G.Busatto, J.Wyss, “Effetti dell’impatto di ioni pesanti ad alta energia su diodi di potenza,” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Alghero, giugno 1999
169. P. Villani, G. Busatto, F. Iannuzzo, “ Charge Amplification Mechanisms during Heavy Ion Penetration in Power Diodes” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Parma, giugno 2000
170. F.Velardi, F.Iannuzzo, G.Busatto, J.Wyss, A.Sanseverino “Single Event Effects on Power Devices,” Workshop ST-CERN, 23-24 ottobre 2002
171. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Sanseverino, G. Currò, F. Frisina “Affidabilità dei MOSFET di potenza commerciali in ambienti radiativi quali quello Aerospaziale” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Passignano sul Trasimeno, giugno 2003
172. G. Busatto, C. Abbate, F. Iannuzzo, R. Manzo, L. Fratelli, “Caratterizzazione non distruttiva di moduli IGBT per trazione ferroviaria” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Passignano sul Trasimeno, giugno 2003
173. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, R. Manzo, L.Fratelli, G. Giannini, B. Cascone; “Ottimizzazione della Commutazione per IGBT di alta potenza” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Curmayer, 24-26 giugno 2004
174. F. Velardi, F. Iannuzzo, G. Busatto, A. Porzio, A. Sanseverino, A. Cascio, G. Currò , F.Frisina; “Danneggiamento di Mosfet di potenza durante l'esposizione a ioni pesanti” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Curmayer, 24-26 giugno 2004.
175. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo, G. Giannini, B. Cascone: “Caratterizzazione dell’Emissione Elettromagnetica di Moduli IGBT per trazione Ferroviaria”, Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Taormina, giugno 2005.
176. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, F. Frisina, G. Currò, A.Cascio, , "Simulazioni di Effetti da Singolo Evento su Power MOSFET di Media Tensione" Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Taormina, giugno 2005.
177. C. Abbate, G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo, B. Cascone, R.Manzo: “Connessione in Serie di Moduli IGBT di Alta Potenza per Applicazioni Ferroviarie”, Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Lerici, giugno 2007.
178. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, "Studio Sperimentale del Danno Indotto nell’Ossido di Gate dei MOSFET di Potenza durante l’Irraggiamento con Ioni Pesanti" Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Lerici, giugno 2007.
179. B. Abbate, C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, L. Fratelli, B. Cascone, R. Manzo, "Sistema per la caratterizzazione dei dispositivi di alta potenza a diverse temperature da -50°C a +180°" Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Otranto, giugno 2008.
180. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, "Studio della Formazione dei Danni Latenti nell’ossido di Gate dei MOSFET di Potenza durante l’Irraggiamento con Ioni Pesanti" Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Otranto, giugno 2008.
181. G. Busatto, F. Iannuzzo, A. Porzio, A. Sanseverino, F. Velardi, “Single Event Gate Damage indotto da irraggiamento con ioni pesanti nei MOSFET di potenza di media tensione” Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Trento, giugno 2009.
182. C. Abbate, G. Busatto, F. Iannuzzo, “Caratterizzazione Non Distruttiva e Meccanismi di Rottura in IGBT di alta potenza”, Riunione annuale del gruppo ELETTRONICA, Trento, giugno 2009.

[Ultima modifica: mercoledì 30 novembre 2016]